1 / 23

Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur

Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur. 4 Commande des transistors Christian Koechli. Objectifs du cours. Fonctionnement d’un Mosfet de puissance Problématique du Low-Side Problématique du High-Side Découplage Bootstrap Utilisation de P-MOS. Structure. Principe.

triage
Download Presentation

Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur 4 Commande des transistors Christian Koechli

  2. Objectifs du cours • Fonctionnement d’un Mosfet de puissance • Problématique du Low-Side • Problématique du High-Side • Découplage • Bootstrap • Utilisation de P-MOS

  3. Structure

  4. Principe

  5. Enclenchement

  6. Enclenchement 2

  7. Effets des inductances parasites

  8. Déclenchement

  9. Précautions • Surtension GS (souvent 20V max) • Pics de courant • Phénomènes transitoires DS • Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre

  10. Pics de tensions sur la grille

  11. Changements DS

  12. Limitation du pouvoir de coupure de la diode

  13. Limitation du pouvoir de coupure de la diode

  14. Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance • Attention à la manipulation • Attention aux pics de VGS • Attention aux pics de tension sur le drain ou la source dus à la commutation • Ne pas dépasser la valeur de crête du courant • Rester dans les limites thermiques • Attention au layout • Attention aux performances de la diode de roue libre • Attention en comparant les performances (courant) de différents MOSFETs

  15. Calcul des pertes • Pertes en conduction:Pcd=RDSon I2 tON • Pertes en commutation:Pcom=f

  16. Caractéristiques de l’étage « driver » • Limiter les pertes de commutation • Source de courant idéale pour une commutation rapide • Éviter les pics de tension • Attention à la commutation rapide. • Éviter les inductances de fuites (Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)

  17. Transistor Low Side

  18. Transistor High Side

  19. Découplage Vcc (12V) DSP R TLP250 UDC (24V) (0V) Rmesure_courant

  20. Alimentation unipolaire UDC (24V) Vcc (12V) R DSP Level shifter

  21. Décalage de niveau (+bootstrap)

  22. Utilisation d’un transistor à canal P

  23. Schéma Labo

More Related