Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 31

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG PowerPoint PPT Presentation


  • 149 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG. PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON TRONG CHẾ TẠO MÀNG MỎNG. MÔN : VẬT LÝ PLASMA. GVHD : PGS. TS. Lê Văn Hiếu HVTH : Phạm Văn Thịnh. Lưu lại thông tin cần thiết :. Địa chỉ bạn đã tải :

Download Presentation

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊNKHOA VẬT LÝBỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG

PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON

TRONG CHẾ TẠO MÀNG MỎNG

MÔN : VẬT LÝ PLASMA

GVHD :PGS. TS. Lê Văn Hiếu

HVTH : Phạm Văn Thịnh


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Lưulạithông tin cầnthiết:

Địachỉbạnđãtải:

http://mientayvn.com/Cao%20hoc%20quang%20dien%20tu/Semina%20tren%20lop/seminar.html

Nơi bạn có thể thảo luận:

http://myyagy.com/mientay/

Dịch tài liệu trực tuyến miễn phí:

http://mientayvn.com/dich_tieng_anh_chuyen_nghanh.html

Dự án dịch học liệu mở:

http://mientayvn.com/OCW/MIT/Co.html

Liên hệ với người quản lí trang web:

Yahoo: [email protected]

Gmail: [email protected]


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

I. Khái niệm về phún xạ

Phún xạ(Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iônkhí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.

Đế

Ar+

BIA

4


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Bản chất quá trình phún xạ

- Quá trình phún xạ là quá trình truyền động năng.


Ii c c lo i ph n x

II. CÁC LOẠI PHÚN XẠ

  • 1. Phún xạ phóng điện một chiều (DC discharge sputtering)

  • 2. Phún xạ phóng điện xoay chiều (RF discharge sputtering)

  • 3. Phún xạ magnetron

  • 4. Các cấu hình phún xạ khác


1 ph n x ph ng i n m t chi u dc discharge sputtering

1. Phún xạ phóng điện một chiều (DC discharge sputtering)

  • Là kỹ thuật phún xạ sử dụng hiệu điện thế một chiều để gia tốc cho các iôn khí hiếm.

  • Bia vật liệu (tuỳ thuộc vào thiết bị mà diện tích của bia nằm trong khoảng từ 10 đến vài trăm centimet vuông) được đặt trên điện cực âm (catốt) trong chuông chân không được hút chân không cao, sau đó nạp đầy bởi khí hiếm (thường là Ar hoặc He...) với áp suất thấp (cỡ 10-2 mbar)


S h ph ng i n cao p m t chi u dc sputter

Sơ đồ hệ phóng điện cao áp một chiều (DC-sputter)


2 ph n x ph ng i n xoay chi u rf discharge sputtering

2. Phún xạ phóng điện xoay chiều (RF discharge sputtering)

  • Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho iôn khí hiếm. Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát cao tần sử dụng dòng điệntần sốsóng vô tuyến (thường là 13,56 MHz).

  • Vì dòng điện là xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu không dẫn điện.


S h ph ng i n cao t n c t ch n l m t ng hi u su t b n ph ion

Sơ đồ hệ phóng điện cao tần có tụ chặn làm tăng hiệu suất bắn phá ion.


3 ph n x magnetron

3. Phún xạ magnetron

  • Là kỹ thuật phún xạ (sử dụng cả với xoay chiều và một chiều) cải tiến từ các hệ phún xạ thông dụng bằng cách đặt bên dưới bia các nam châm.

  • Từ trường của nam châm có tác dụng bẫy các điện tử và iôn lại gần bia và tăng hiệu ứng iôn hóa, tăng số lần va chạm giữa các iôn, điện tử với các nguyên tử khí tại bề mặt bia do đó làm tăng tốc độ lắng đọng, giảm sự bắn phá của điện tử và iôn trên bề mặt màng, giảm nhiệt độ đế và có thể tạo ra sự phóng điện ở áp suất thấp hơn.


4 c c c u h nh ph n x kh c

4. Các cấu hình phún xạ khác

  • Phún xạ chùm ion : nguồn ion được thiết kế tách hẳn ra khỏi catôt

  • Cấu hình sử dụng đến phân thế trên đế để kích thích bắn phá ion và quá trình phủ màng

  • Phóng điện bằng hỗ trợ ion nhiệt : điện tử thứ cấp được tăng cường từ sợi vonfram đốt nóng.


Iii ph ng ph p ph n x magnetron rf trong ch t o m ng m ng

III. PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON RF TRONG CHẾ TẠO MÀNG MỎNG

  • RF ở đây là viết tắt của chữ Radio Frequency nhưng ý nghĩa của nó ở đây là năng lượng của quá trình tạo plasma được cung cấp bởi các dòng điện xoay chiều cao tần (ở tần số sóng radio từ 2 - 20 MHz)

  • Màng mỏng (thin films) tạo bởi kỹ thuật này có thể bao gồm nhiều vật liệu khác nhau và màng rất đồng đều.


1 nguy n t c ho t ng

1. Nguyên tắc hoạt động

  • Dòng khí (thường là argon hoặc argon+O2, argon+N2) được bơm vào buồng chân không tạo plasma hình thành các ion Ar+. Các ion này hướng về target (kim loại cần tạo mạng mỏng) được áp thế âm. Các ion này di chuyển với vận tốc cao, bắn phá target và đánh bật các nguyên tử của target ra khỏi target. Các nguyên tử này bay lên và đi đến substrate (thuỷ tinh hay silicon wafer), tích tụ trên substrate và hình thành màng mỏng khi số lượng nguyên tử đủ lớn.


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

1. Nguyên tắc hoạt động

Đế

tAr

Ar

e-

KhíAr

Ar

Ar+

Ar+

e-

13.56MHz

Khí N2

N

Ar

N+

tN

Khí bên ngoài

Bơm CKhông

S N S


3 s c u t o

3. Sơ đồ cấu tạo


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Plasma:

- Điện tử thứ cấp phát xạ từ catôt được gia tốc trong điện trường, chúng ion-hóa các nguyên tử khí, do đó tạo ra lớp plasma


Bia k ch th c c 2 ho c 3 c g n v o m t b n gi i nhi t b n gi i nhi t c g n v o cathode

Bia (kích thước cỡ 2” hoặc 3”) : Được gắn vào một bản giải nhiệt. Bản giải nhiệt được gắn vào cathode.


C p v o i n c c anode

Đế: Được áp vào điện cực anode

Đế Silicon

Đế thủy tinh


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Một số loại đế dùng trong hệ phún xạ

Đế Ceramic (gốm)


Bu ng ch n kh ng

Buồng chân không


B ph n t o ch n kh ng

Bộ phận tạo chân không

Thường dùng 2 loại bơm :

Bơm sơ cấp (bơm rote hoặc bơm quay dầu):

  • Tốc độ : 30 m3/h.

  • Áp suất tới hạn: 10-2 torr

    Bơm khuếch tán :

  • Tốc độ : 200 l/sec

  • Áp suất tới hạn : 10-10 torr


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Chân không phún xạ:

  • Chân không tới hạn : 10-7 torr

  • Chân không làm việc : 10-2  10-3 torr


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Bộ phận Magnetron

Từ trường do một vòng nam châm bên ngoài bao quanh và khác cực với nam châm ở giữa. Chúng được nối với nhau bằng một tấm sắt, có tác dụng khép kín đường sức từ phía dưới

N

S

N

N

Đế (Athod)

N

(Kathod)

Heä magnetron phaúng vaø caùc ñöôøng söùc töø treân beà maët bia

(b)

(a)


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Cấu trúc của một số hệ Magnetron thông thường


5 u nh c i m c a ph n x

5. Ưu nhược điểm của phún xạ

Ưu điểm:

Tất cả các loại vật liệu đều có thể phún xạ, nghĩa là từ nguyên tố, hợp kim hay hợp chất.

Quy trình phún xạ ổn định, dễ lặp lại và dễ tự động hóa.

Độ bám dính của màng với đế rất tốt do các nguyên tử đến lắng đọng trên màng có động năng khá cao so với phương pháp bay bốc nhiệt.


Nh c i m

Nhược điểm

  • Phần lớn năng lượng phún xạ tập trung lên bia, làm nóng bia, cho nên phải có bộ làm lạnh bia.

  • Tốc độ phún xạ nhỏ hơn nhiều so với tốc độ bốc bay chân không.

  • Bia thường là rất khó chế tạo và đắt tiền.

  • Các tạp chất nhiễm từ thành bình, trong bình hay từ anôt có thể bị lẫn vào trong màng.


T i li u tham kh o

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Một số sách và luận văn:

[1] Trần Định Tường, Màng mỏng quang học,NXBKHKT Hà Nội,2004

[2] Võ Thị Kim Chung,Luận văn Thạc sĩ Khoa Học Tự Nhiên, Tổng hợp màng mỏng TiO2 Bằng pp phún xạ Magnetron-mạ ion,Trường ĐH KHTN TPHCM,1999

[3] ThS Vũ Thị Hạnh Thu,các bài giảng về Vật Lý Màng Mỏng,Trường ĐH KHTN TPHCM

[4] Lê Phương Ngọc,Nguyễn Thị Thu Thảo,Khóa Luận Tốt Nghiệp

[5] Nguyễn Ngọc Thùy Trang,Khóa Luận tốt nghiệp

[6] Lê Vũ Tuấn Hùng,Nguyễn Văn Đến,Huỳnh Thành Đạt,Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO2 bằng phương pháp phún xạ Magnetron RF,Tạp chí phát triển KH&CN ,tập 9,số 6/2006


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

Một số trang web tham khảo :

http://vi.wikipedia.org/wiki/M%C3%A0ng_m%E1%BB%8Fng

http://vi.wikipedia.org/wiki/Ph%C3%BAn_x%E1%BA%A1_cat%E1%BB%91t

http://en.wikipedia.org/wiki/Sputtering

http://en.wikipedia.org/wiki/Radio_frequency

www.freepatentsonline.com

http://www.lermps.com/PHP/HTML/textes.php?ref=process_depot+phase+vapeur.xls

http://www.ajaint.com/whatis.htm


Tr ng i h c khoa h c t nhi n khoa v t l b m n v t l ng d ng

CAÛM ÔN THAÀY VAØ

CAÙC BAÏN !!


  • Login