Polprevodni ki detektorji
Download
1 / 47

Polprevodniški detektorji - PowerPoint PPT Presentation


  • 225 Views
  • Uploaded on

Polprevodniški detektorji. Lastnosti polprevodnikov Dioda p-i-n Stik kovina polprevodnik Merjenje energije Krajevno občutljivi detektorji Sevalne poškodbe v detektorjih. Literatura: H. Spieler: Semiconductor Detector Systems G. Lutz: Semiconductor Radiation Detectors

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' Polprevodniški detektorji' - tayten


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
Polprevodni ki detektorji

Polprevodniški detektorji

Lastnosti polprevodnikov

Dioda p-i-n

Stik kovina polprevodnik

Merjenje energije

Krajevno občutljivi detektorji

Sevalne poškodbe v detektorjih

Literatura:

H. Spieler: Semiconductor Detector Systems

G. Lutz: Semiconductor Radiation Detectors

S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices

Glenn F. Knoll: Radiation Detection and Measurement

W.R.Leo: Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments

http://www-f9.ijs.si/~cindro/polprevodniki/

Polprevodniški detektorji


Zakaj polprevodniki?

  • Energijska ločljivost detektorjev odvisna od statističnih fluktuacij števila gibljivih nosilcev naboja, ki nastanejo pri detekciji delca.

  • Majhna energija potrebna za tvorbo gibljivih nosilcev naboja, ki jih detektiramo → dobra energijskaločljivost

  • V plinskem detektorju je potrebno za tvorbo prostega elektrona nekaj 10eV, v scintilatorju pa od nekaj 10 do nekaj 100 eV (za tvorbo fotona).

  • ~ 1000x večja gostota kot pri plinih

  • Možna izdelava struktur na detektorjih – dobra krajevna ločljivost

Polprevodniški detektorji


Primerjava: spekter izmerjen z Ge (polprevodniški) in NaJ (scintilacijski)

detektorjem

Polprevodniški detektorji


Dobra energijska lo ljivost la je lo evanje signala od ozadja
Dobra energijska ločljivost (scintilacijski)→ lažje ločevanje signala od ozadja

Polprevodniški detektorji


Princip delovanja
Princip delovanja: (scintilacijski)

Polprevodniški detektor deluje kot ionizacijska celica. Delec, ki ga detektiramo, povzroči nastanek gibljivega para elektron – vrzel z vzbujanjem elektrona iz valenčnega pasu:

prevodni pas

Elektron

prepovedani pas širine Eg

Eg

Vrzel

valenčni pas

Polprevodniški detektorji


Hitrost gibanja driftanja v elektri nem polju
Hitrost gibanja (driftanja) v električnem polju: (scintilacijski)

m odvisen od materiala

Si m = 2.5 za elektrone

m = 2.7 za vrzeli

µgibljivost

↓ 1V/μm

← 100μm/ns

Polprevodniški detektorji


Lastnosti polprevodnikov
Lastnosti polprevodnikov (scintilacijski)

Polprevodniški detektorji


Čisti polprevodnik (brez primesi - intrinsic) (scintilacijski)

n - koncentracija prevodnih elektronov

p - koncentracija vrzeli

N(E) gostota stanj

EF Fermijeva energija, Et vrh prevodnega pasu

Čisti polprevodnik

Nevtralnost

n=p

Fermi-Diracova porazdelitev

razmerje efektivnih mas vrzeli

in elektronov

Polprevodniški detektorji


Majhne zasedenosti – Boltzmannova statistika (nedegeneriran polprevodnik)

Ec energija dna prevodnega

Ev energija vrha valenčnega pasu

Eg =Ec-Evširina prepovedanega pasu

Efektivna gostota stanj v prevodnem in valenčnem pasu

ni gostota števila prostih nosilcev

naboja v čistem polprevodniku (enaka za

elektrone in vrzeli)

pri sobni temperaturi:

↑sobna T

Polprevodniški detektorji


Lastnosti polprevodnikov spremenimo e jim dodamo ne isto e
Lastnosti polprevodnikov spremenimo, če jim dodamo nečistoče

  • Donorski nivoji→ nevtralni, če so zasedeni

    nabiti + če niso zasedeni

  • Akceptorski nivoji→ nevtralni, če niso zasedeni

    nabiti -, če so zasedeni

    Plitvi akceptorji – blizu valenčnega pasu (npr. tri valentni atomi v Si – primer B, Al)

    Plitvi donorji – blizu prevodnega pasu (npr. pet valentni atomi v Si – primer P, As)

Polprevodniški detektorji


n-tip polprevodnika nečistoče , če dodani donorji

p-tip polprevodnika, če so dodani akceptorji

Vezalna energija plitvega donorja je zmanjšana

zaradi manjše efektivne mase in dielektričnosti

za Si

V večini primerov lahko privzamemo, da so vsi plitvi donorji (akceptorji)

ionizirani, saj so daleč od Fermijevega nivoja.

Nevtralnost:

Zato se v polprevodniku s primesmi Fermijev nivo premakne:

če ND»NA , n tip polprevodnika

če NA»ND , p tip polprevodnika

Polprevodniški detektorji


Lastnosti polprevodnikov ki so mu dodane ne isto e
Lastnosti polprevodnikov, ki so mu dodane nečistoče nečistoče

Polprevodniški detektorji


Upornost polprevodnikov
Upornost polprevodnikov nečistoče

gibanje naboja v električnem polju E, µgibljivost

specifična upornost

Polprevodniški detektorji


Struktura p n
Struktura p-n nečistoče

Zaradi neenakomerne koncentracije

elektronov in vrzeli dobimo difuzijo elektronov proti strani p in vrzeli proti strani n

na stiku nastane električno polje

Razlika potencialov

Vbi = built in voltage, reda velikosti 0.6V

v Si

K signalu prispevajo samo naboji, ki jih vpadni delec tvori v področju z električnim poljem

Polprevodniški detektorji


Zunanja napetost V nečistoče bias

  • če povečuje potencialno bariero, se osiromašeno področje veča, večji aktivni volumen detektorja – napetost v zaporni smeri

  • če zmanjšuje potencialno bariero, manjši aktivni volumen, velik tok, napetost v prevodni smeri.

    Višina potencialne bariere: VB= Vbias+ Vbi

    Kako veliko je osiromašeno področje (xp+xn)?

    Nevtralnost:

    Na xp = Nd xn

    Za električno polje velja Poissonova enačba:

Električno polje je linearno,

Potencial pa kvadratičen

Polprevodniški detektorji


Narašča kot nečistoče Vbias1/2

če ρ=20000kΩcm in

Vbias=1 V → d~75µm

Primer: silicij

Polprevodniški detektorji


Mrtvi tok
Mrtvi tok nečistoče

Tok ki steče v zaporni smeri

Difuzijski tok:

  • difuzija manjšinjskih nosilcev v področje z električnim poljem

  • Tok večinskih nosilcev z dovolj veliko termično energijo, da premagajo potencialno bariero

    Generacijski tok: generacija gibljivih nosilcev s termično ekscitacijo v osiromašeni plasti

Polprevodniški detektorji


Verjetnost za eksitacijo se močno poveča, če imamo vmesne nivoje

Puščica označuje prehode elektronov!

Polprevodniški detektorji


Generacijski tok v osiromašeni plasti: nivoje

zaradi majhne koncentracije prostih nosilcev lahko zajetje zanemarimo

→ višja T – višji generacijski tok

→ večja širina prepovedanega pasu Eg , manjši je generacijski tok

Posledica: nekatere detektorje je treba hladiti (germanijeve, obsevane silicijeve)

Polprevodniški detektorji


Stik kovina polprevodnik schottky bariera
Stik kovina polprevodnik (Schottky bariera) nivoje

n tip polprevodnika

Χ elektronska afiniteta

Φ izstopno delo

Predpostavka Φm >Φs

Vbi = Φm- Φs

ΦBa = (Φm- X)

Polprevodniški detektorji


Brez zunanje napetosti nivoje

Napetost v prevodni smeri

Napetost v zaporni smeri

OHMSKI KONTAKT: visoka koncentracija nečistoč → tanka bariera → tuneliranje

Polprevodniški detektorji


Izdelava polprevodni kih detektorjev
Izdelava polprevodniških detektorjev nivoje

  • Izdelava monokristala v obliki valja:

  • metoda Czochralski (Cz)

Tekoči silicij je v kontaku s posodo – večja koncentracija nečistoč

Polprevodniški detektorji


Tekoči polprevodnik nivoje

ni v stiku s stenami posode –

Večja čistoča kristalov

http://www.memc.com/co-as-process-animation.asp

Metoda float zone:

Dodajanje nečistoč (primesi):

- pri rasti kristala iz plina

- neutron transmutation doping

30Si + n → 31Si

31Si → 31P + β- +

Upornosti do 100kΩ

Polprevodniški detektorji


or diffusion nivoje

Fotolitografski postopek

Polprevodniški detektorji


Nastanek signala v detektorjih
Nastanek signala v detektorjih nivoje

  • interakcija delcev s snovjo (nastanek parov elektron –vrzel)

  • Gibanje nabojev v električnem polju povzroči induciran tok v elektrodah (signal)

    Interakcija nabitih delcev:

    Energijo pretežno zgubljajo s tvorbo parov elektron-vrzel:

Polprevodniški detektorji


Si nivoje~ povprečno 107 parov elektron-vrzel/µm

Polprevodniški detektorji



Absorpcija fotonov
Absorpcija fotonov nivoje

  • Fotoefekt

  • Comptonov efekt

  • Produkcija parov

Polprevodniški detektorji





Energijska lo ljivost detektorjev
Energijska ločljivost detektorjev nivoje

Je odvisna od statističnih fluktuacij števila nastalih parov elektron-vrzel:

Če se v detektorju absorbira vsa energija delca – E0 (npr.foton se absorbira s fotoefektom, fotoelektron pa se ustavi v detektorju):

Povprečno število nastalih parov:

εi ~ 3.6eV za Si

~ 2.98 eV za Ge

Polprevodniški detektorji



Če imamo veliko število nivojeneodvisnih dogodkov z majhno verjetnostjo

(nastankov para elektron-vrzel) → binomska porazdelitev → Poissonova

Standardna deviacija (koren iz povprečnega kvadrata odmika):

→ Ločljivost v energijski skali (histogramiramo višino

izmerjenega signala) = εi σ

Izmerjena ločljivost boljša, kot jo narekuje Poissonova statistika

Polprevodniški detektorji


Povprečno število eksitacij kristala

Povprečno število nastalih parov.

Ker je razpoložljiva energija omejena (monoenergetski fotoelektroni):

Širina porazdelitve energijskih izgub

Polprevodniški detektorji


F razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).Fano faktor

F ~ 0.1 za silicij

Polprevodniški detektorji


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Polprevodniški detektorji razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).


Med gibanjem (driftanjem) število nosilcev eksponentno razpolago omejena količina energije (fotoelektron izgubi vso energijo).

pada s časom:

Povprečen čas gibanja, preden se naboj ujame v past

Polprevodniški detektorji


ad