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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA PowerPoint PPT Presentation


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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA. UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS. INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES. ALUMNOS: WENDY GUÍACI: V- 13749529 ALFREDO VELIZCI: V- 14016501

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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA

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Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL

POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA

UNIDAD I

CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS

DISPOSITIVOS ACTIVOS

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES

ALUMNOS: WENDY GUÍACI: V- 13749529

ALFREDO VELIZCI: V- 14016501

RINO MARTINEZCI: V- 10077619

JESÚS RIOBUENOCI: V- 15082818


Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.


Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

TRANSISTORES BIPOLARES

Pueden ser de dos tipos:

NPN

PNP


L mites de operaci n del transistor

Límites de operación del transistor

En los amplificadores con transistores hay dos casos extremos, cuando el transistor esta en saturación ( IC = Max ) que significa que vce es prácticamente 0 Voltio y cuando el transistor esta en corte ( IC = 0 ) que significa que vce es prácticamente igual a Vcc.


L mites de operaci n del transistor1

Límites de operación del transistor

Estos forman parte de los límites de operación del transistor, que deben tenerse en cuenta en el diseño de cualquier circuito, he aquí un conjunto típico para el transistor de silicio 2N2222

  • Voltaje colector – base VCB = 60 V

  • Voltaje colector – emisor VCE = 30 V

  • Voltaje base – emisor VBE = 5 V

  • Disipación de potencia IC VCE = 500m/W


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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

FETTransistor Efecto de Campo (inglés; FieldEffect Transistor)

Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Entre los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET.


Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

Características de transistores FET

  • Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

  • Por el terminal de control no se absorbe corriente.

  • Una señal muy débil puede controlar el componente

  • La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

  • Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.


Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N

Símbolo de un FET de canal p


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AMPLIFICADOR DIFERENCIAL


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FET

  • El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.


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POLARIZACIÓN DEL FET POR EMPLAZAMIENTO DE PICO O FIJA


Universidad nacional experimental polit cnica de la fuerza armada

TRIODO


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TETRODO

A

K

válvula termoiónica

Triodo

VÁLVULA TERMOIÓNICA CONSTRUIDA POR CUATRO ELECTRODOS: CÁTODO,DOS REJILLAS Y ÁNODO

1

+

-

3

2

4

Polarización del Tetrodo.

Tetrodo


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AMPLIFICADOR LINEALES DE POTENCIA

Amplificador lineal Heathkit para radio de comunicacion HF,

el amplificador es para las bandas de 10, 15, 20, 40, y 80 metros.

Amplificador lineal vhfrm vla-100


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EFECTO RESISTENCIA DEL EMISOR.


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USO Y APLICACIONES DE TETRODO

Los tetrodos de alto voltaje del interruptor se utilizan para la conmutación de alto voltaje

Amplificador de Alta Frecuencia.

Multiplicador Modulador de Frecuencia.


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ALGUNOS TETRODO EXISTENTE EN EL MERCADO

Amplificador

casero

Frecuencia de alimentación

A.m. de radio de 30 MHz hasta 40 kW

F.M. radio de 88 a 110 MHz hasta 40 kW

VHF T.V. 48 a 125 MHz hasta 30 kW

T.V. UHF 470 a 860 MHz hasta 10 kW

Electro - harmonix 6973 tubo de vacío

electrónico altavoz tetrodo tubo

Tubo

de radiodifusión

Electrónicotube_powertube

electronictubo 8f76r tetrodo

4cx1000a tetrodo tubo de

alimentación de electrones del tubo


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FIN


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