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新型 微波调谐材料与器件. 许丹 2014.5.17. Contents. 二. TiO 2 薄膜材料. 一. 四. ZnO 薄膜材料. 功率对介电性能影响. 三. 衬底对介电性能影响. 1. ZnO 薄膜材料. 实验目的： 研究 ZnO 薄膜的调谐性质：即 C-V 特性。. 工艺参数： （ a ）靶材制备：靶材烧结温度为 1100 ℃，烧结时 无需进行压烧和埋烧. 表 1. ZnO 薄膜 制备工艺 参数. 注： 薄膜厚度 为 200nm. Tunability >90%. Tunability =60%. (a). (b).
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新型微波调谐材料与器件 许丹 2014.5.17
Contents 二 TiO2薄膜材料 一 四 ZnO薄膜材料 功率对介电性能影响 三 衬底对介电性能影响
1. ZnO薄膜材料 实验目的：研究ZnO薄膜的调谐性质：即C-V特性。 工艺参数：（a）靶材制备：靶材烧结温度为1100℃，烧结时 无需进行压烧和埋烧 表1. ZnO薄膜制备工艺参数 注：薄膜厚度为200nm
Tunability>90% Tunability=60% (a) (b) Fig. 1 The tunability of thin film: (a) ZnO (b) BMN 四点不同：a.调谐曲线类型(反向调谐)；b. 驱动电压高；c. 调谐率大； d. 漏电流以及损耗大 ZnO出现正向调谐的可能原因是随着偏压增加发生半导体的可逆击穿，漏电流增大。
2. TiO2薄膜实验 实验目的：研究TiO2薄膜的调谐性质：即C-V特性。 靶材烧结温度探索：TiO2的熔点为1870℃左右，文献报道烧结 温度为1400℃，选取1350℃和1400℃进行烧结。 表2. TiO2靶材烧结情况
TiO2薄膜随着电压的变化，其介电常数并没有发生明显的变化，不具备调谐性。TiO2薄膜随着电压的变化，其介电常数并没有发生明显的变化，不具备调谐性。 Fig. 2 The tunability of TiO2 thin film
在不同的衬底上，由于晶格常数不匹配，往往对薄膜的生长结晶，介电性能造成不同程度的影响在不同的衬底上，由于晶格常数不匹配，往往对薄膜的生长结晶，介电性能造成不同程度的影响 生长于Si衬底，FTO玻璃和ITO玻璃上的薄膜，晶格失配率依次减小，薄膜峰强依次增强，半峰宽减小，结晶性依次变好。 晶格失配的存在影响薄膜结晶性，另一方面，晶格失配造成了界面层附近薄膜晶格畸变，对薄膜调谐率造成影响。 3.衬底对介电性能的影响
4. 功率对薄膜介电性能的影响 制备方法： rf magnetron sputtering 研究材料： Ba(SnxTi1-x)O3 研究目的： 不同溅射参数对薄膜的生长及介电性能的影响
溅射制备薄膜即粒子的重组过程，溅射功率越大，溅射粒子获得的平面动能越大，越利于移动成“核”，连续成“岛”。溅射制备薄膜即粒子的重组过程，溅射功率越大，溅射粒子获得的平面动能越大，越利于移动成“核”，连续成“岛”。
提供了一种关于薄膜应力的新表征方法 表征方法：定性分析 测试手段：定量分析 晶格失配率： 晶面间距变化率： 过渡层厚度：通过HRTEM等进行直接观察 XRD配件 AFM、TEM等
