1 / 8

КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ

КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ. КОМПЛЕКТ лабораторныХ практикумОВ. Лабораторный практикум на основе комплекса техно - логического оборудования для формирования актив - ных и пассивных тонкопленочных элементов.

quyn-gray
Download Presentation

КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. КАФЕДРАИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ

  2. КОМПЛЕКТ лабораторныХпрактикумОВ Лабораторный практикум на основе комплекса техно-логического оборудования для формирования актив-ных и пассивных тонкопленочных элементов. Лабораторный практикум по проектированию аналого-вых элементов на основе программно-аппаратного комплекса National Instruments. Лабораторный практикум в области проектирования СБИС с использованием новых платформ проектиро-вания CADENCE. Лабораторный практикум по исследованию электрон-ной компонентной базы с использованием современ-ных контрольно-измерительных комплексов.

  3. Лабораторный практикум НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ И ПАССИВНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Лабораторные работы: 1. Исследование процессов магнетронного распыления и термического осаждения в вакууме тонких металлических пленок. 2. Исследование процесса реактивно-ионного травления тонких металлических пленок 3. Исследование особенностей плазмо-химического процесса удаления фоторезиста. 4. Исследование влияния особенностей осаждения металла на электрофизические параметры диодов Шоттки и тонкопленочных резисторов.

  4. Лабораторный практикум НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ И ПАССИВНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ • малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ-Магна нане-сения пленок металлов методом маг-нетронного распыления материала мишени; • малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления; • малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ МАГНА-100 осаждения тонких пленок методом магне-тронного распыления; • малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ - ТИС осаж-дения тонких пленок методом терми-ческого испарения металлов в вакууме.

  5. Лабораторный практикум ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПРОГРАММНО-АППАРАТНОГО КОМПЛЕКСА NATIONAL INSTRUMENTS Лабораторные работы: 1. Исследование характеристик полупроводниковых диодов. 2. Исследование работы однополупериодного выпрямителя. 3. Исследование работы мостового выпрямителя. 4. Исследование характеристик стабилитрона. 5. Исследование характеристик тиристора. 6. Исследование управляемых схем на тиристорах. 7. Исследование характеристик биполярного транзистора. 8. Исследование работы транзисторного каскада с общим эмиттером. 9. Исследование характеристик полевого транзистора. 10. Исследование работы транзисторного каскада с общим истоком. 11. Исследование работы инвертирующего усилителя. 12. Исследование работы неинвертирующего усилителя. 13. Исследование работы интегратора напряжения. 14. Исследование работы дифференциатора напряжения. 15. Исследование работы однопорогового компаратора. 16. Исследование работы гистерезисного компаратора.

  6. Лабораторный практикум ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СОВРЕМЕННЫХ КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ КОМПЛЕКСОВ Лабораторные работы: Ознакомление с работой универсального лабораторного стенда для исследования характеристик и измерения параметров полупроводниковых приборов. Изучение вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов. Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде. Изучение механизмов пробоя в полупроводниковых диодах. Изучение электрофизических параметров диодов Шоттки. Исследование статических характеристик биполярных транзисторов. Исследование динамических параметров биполярных транзисторов. Исследование статических характеристик МДП-транзисторов.

  7. Лабораторный практикум В ОБЛАСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НОВЫХ ПЛАТФОРМ ПРОЕКТИРОВАНИЯ CADENCE. Лабораторные работы: Исследование характеристик МОП транзисторов с использованием платформы CadenceVirtuoso. Исследование статических характеристик цифрового элемента. Автоматизация характеризации цифрового элемента . Исследование параметрической зависимости динамических харак-теристик цифрового элемента. Параметризация цифрового элемен-та на платформе Virtuoso. Исследование частотных характеристик аналогового элемента. Анализ по углам. Основы топологического моделирования с использованием плат-формы Cadence Virtuoso. Автоматизированное топологическое проектирование логического элемента на библиотечных транзисторах. Физическая верификация и расчет цифрового элемента с учетом паразитных эффектов. Исследование возможностей языка поведенческого моделирования Verilog-A для проектирования аналоговых устройств.

  8. Итоги

More Related