- Ing. Dario
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- Ing. Dario Monnati -. Napoli, 16 novembre 2012.

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Napoli, 16 novembre 2012

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Presentation Transcript


Napoli 16 novembre 2012

- Ing. Dario Monnati -

Napoli, 16 novembre 2012


Napoli 16 novembre 2012

“Il Consorzio ha per oggetto lo sviluppo delle tecnologie per l’opto, la microelettronica ed i microsistemi finalizzate all’applicazione nei settori industriali interessati, quali – ad esempio ma non esclusivamente – le telecomunicazioni, la multimedialità, le applicazioni ambientali, i trasporti, il biomedicale, l’aeronautico, l’aerospaziale.

Il Consorzio si propone, inoltre, di sviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie di cui sopra. ”

  • Pertanto il Consorzio è impegnato nel:

  • sostenere la competitività dei partner industriali su tematiche relative al loro core business

  • fornire supporto allo sviluppo di tecnologie industrialinuove ed altamente innovative

  • sviluppare nuovi prodottiderivanti dalle tecnologie risultanti dalle attività di ricerca


Napoli 16 novembre 2012

50 sqmclean room (class 100)

200 sqmclean room (class 10000)

600 sqmlaboratories

500 sqmoffices

Camera pulita classe 100

Area deposizioni film sottili

Area deposizioni film spessi

Area plasmi chimici


Napoli 16 novembre 2012

Tecnologie InP per l’Optoelettronica

SiC Micromachining

a hole

a plated hole

Via-hole

Principali Risultati di Progetti precedenti

Microstrip passive components (resistors, MIM capacitors, trasmission lines)

PIN diodes array and package

SiC Micromachining bulk and GaN–HEMT back side

Processo di Backside brevettato (Brevetto n.1363498;06/07/2009)

“Metodo per realizzare scavi in substrato di carburo di silicio di un dispositivo a semiconduttore”


Napoli 16 novembre 2012

RF MEMS

Principali Risultati di Progetti precedenti

2. Realizzazione

3. Testing e Misura

1. Progettazione

4. Packaging

Domanda di Brevetto n. BO2010A000738 presentata il 15 dicembre 2010

“Metodo per realizzare un dispositivo microelettromeccanico a membrana metallica sospesa”


Napoli 16 novembre 2012

I Numeri del Progetto

Le Attività del Progetto

Progetto Tecnologie Abilitanti per Sistemi di nuova generazione di trasmissione e ricezione a Microonde

Ex art.6 DM 593/2000

Sviluppo di tecnologie finalizzate alla realizzazione di un veicolo di prova di un modulo Trasmetti/Ricevi digitale compatto per applicazione in sistemi radar avanzati.

Costo complessivo: € 19.808.360

Finanziamento: € 13.964.060

  • OR1- Tecnologie per trasmettitori/ricevitori digitali compatti modulari

  • OR2 - Studio di materiali a funzionalità innovative e per il packaging

  • OR3 - Sviluppo di tecnologie di backside per dispositivi GaN–HEMT ad alta potenza e frequenza

  • OR4 - Sviluppo di tecnologie innovative per la realizzazione di MEMS

  • Finmeccanica ha ritenuto Optel una best practicenella sinergia tra aziende del Gruppo ai fini dello sviluppo di attività di R&D all’avanguardia.


Napoli 16 novembre 2012

1. Back side

... al Progetto TASMA – PON01_02876

Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876).

Sviluppo di tecnologie per la realizzazione di componenti microelettronici e microelettromeccanici e dei relativi packaging sistemi radar multifunzione di nuova concezione (MPAR = Multifunction Phased Array Radar).

4 W/mm²

6 W/mm²

TASM

TASMA

Salto Tecnologico

Source

Gate

Drain

Source

Gate

Drain

Dispositivo

Dispositivo

GaN Cap

1 nm

GaN Cap

1 nm

AlGaN

AlGaN

Wafer GaN/SiC3"

Wafer GaN/SiC4"

Via-Hole

Via-Hole

70 μm

SiC

100 μm

SiC


Napoli 16 novembre 2012

2. Packaging

3. MEMS

... al Progetto TASMA – PON01_02876

Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876).

TASM

TASMA

Salto Tecnologico

Multistrati ceramici HTCC

Package AlN Bulk

Switch MEMS

Phase Shifter


Napoli 16 novembre 2012

  • Messa a punto delle tecniche di Incollaggio dei wafer di SiC

  • Messa a punto delle tecniche di Lappatura e lucidatura dei wafer di SiC

  • Sviluppo di processi fotolitografici per lo scavo di via hole in SiC di profondità di circa 100 micron

  • Progettazione di switch RF MEMS orientata al power handling

  • In corso la messa a punto degli step tecnologici per la realizzazione di switch RF MEMS

  • Completamento analisi termiche per ponti termici in substrati di AlN da utilizzare come PCB

  • Messa a punto dei processi di via filling

  • Progettazione di un package LCP a basso costo per l’integrazione di componenti RF passivi

I risultati ad oggi conseguiti sul progetto sono in linea con gli obiettivi di Capitolato.


Napoli 16 novembre 2012

  • Circuiti Integrati Monolitici a Microonde (MMIC) con funzione di Amplificatori di potenza (HPA, ciascuno di 50 W di potenza) basati su GaN HEMT su substrato SiC

  • Capacità di packaging:

    • ceramico in AlN (bulk) per moduli di trasmissione in grado di dissipare l’altissima densità di potenza derivante dai circuiti di cui sopra

    • LCP a bassissimo costo, basato su materiali innovativi come Liquid Crystal Polimer, per i moduli con bassa richiesta di dissipazione di potenza e per i dispositivi passivi e digitali

  • Dispositivi MEMS per la gestione dei segnali a RF (Switch e PhaseShifter basati su MEMS)

Ogni tecnologia sviluppata nel progetto ha come primo End User le aziende del gruppo Finmeccanica sulle quali sono state tarate le specifiche tecniche dei dimostratori.

Inoltre tali tecnologie avranno ricadute nel mercato interno al Distretto Tecnologico Aerospaziale ed in settori più vasti.


Napoli 16 novembre 2012

Le tecnologie sviluppate sul progetto sono allo stato dell’arte internazionale:

Gli HEMT di potenza ad alto guadagno lineare per la realizzazione del MMIC HPA (dispositivi di altissima densità di potenza - 6 W/mm - non comparabili con i dispositivi oggi realizzati in GaAs -0,7 W/mm)

Il substrato ceramico AlN a bassissima resistenza termica

Il PhaseShifter per il controllo della fase del segnale RF


Napoli 16 novembre 2012

a hole

a plated hole

Via-hole

Follow-up del Progetto TASMA (1/2)

Optel ha presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi come strumento per l’industrializzazionedi uno dei risultati del progetto

Linea di Back side per wafer 4”:

Investimenti: 1.500.000,00 €

MMIC GaN


Napoli 16 novembre 2012

Optel ha altresì presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi finalizzati al completamento della filiera relativa alla tecnologia GaN

Realizzazione di una FoundryItaliana per la produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4", materiale di base necessario alla produzione di componentistica ad alta potenza di nuova generazione.

Strategico per garantire all’industria nazionale del settore la technology non dependencedagli USA e da altri fornitori extra-europei.

4” GaN/SiC wafer


Napoli 16 novembre 2012

Il Consorzio Optel persegue la creazione di valore seguendo il processo tecnologico a partire da progetti di ricerca altamente focalizzati sul core-business dei propri consorziati industriali, procedendo all’industrializzazione dei risultati ed infine producendo e commercializzando tali prodotti innovativi per il mercato di riferimento ed in prospettiva per un mercato più vasto.


Napoli 16 novembre 2012

- Ing. Dario Monnati -

Napoli, 16 novembre 2012


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