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§7.4 熔盐生长法

§7.4 熔盐生长法. —— 在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。 —— 熔盐法 , 助熔剂法 , 高温溶液法 , 与自然界中矿物晶体在岩浆中结晶过程相似。 19 世纪中叶:欧州,金红石,祖母绿等; 1954 年, Remeika, 在 PbO 中生长出 BaTiO 3 ; 1958 年, Nielsen ,在 PbO 中生长出 YIG 等。. 一、生长分类及机理. 1. 分类 自发成核法: 缓冷法,助溶剂蒸发法;助溶剂反应法; 籽晶生长法: 助溶剂提拉法;移动溶剂熔区法;坩埚倾 斜倒转法等。. 2. 生长机理

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§7.4 熔盐生长法

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  1. §7.4 熔盐生长法 ——在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。 ——熔盐法,助熔剂法,高温溶液法, 与自然界中矿物晶体在岩浆中结晶过程相似。 19世纪中叶:欧州,金红石,祖母绿等; 1954年,Remeika, 在PbO中生长出BaTiO3; 1958年,Nielsen,在PbO中生长出YIG等。

  2. 一、生长分类及机理 1.分类 自发成核法:缓冷法,助溶剂蒸发法;助溶剂反应法; 籽晶生长法:助溶剂提拉法;移动溶剂熔区法;坩埚倾 斜倒转法等。 2. 生长机理 与从水溶液中生长晶体相类似 ——应用同样的理论。 在没有籽晶的加助熔剂熔体里生长晶体的过程,仍然是在较高的过饱和度下先成核,晶核长大,随着生长的进行,溶质的消耗,过饱和度就降低,晶体就稳定生长。

  3. 3. 生长速率(BCF理论)  <<1 :tanh 1/  ≈1, • >>1:tanh 1/  ≈ 1/  V=C∝

  4. 二、助熔剂的选择 1.有足够大的溶解度,一般应为10~50wt%,同时在生长温度范围内,还应有适度的溶解度的温度系数; 2.所生成的晶体是唯一稳定的物相(不反应),助溶剂与参与结晶的成分最好不要形成多种稳定的化合物 ; 3.固溶度应尽可能小,尽可能选用同离子助熔剂 ; 4.小粘滞性, 使扩散速率↗, 生长速率 ↗, 完整性 ↗; 5.低熔点,高沸点,才有较宽的生长温区;

  5. 6.很小的挥发性、腐蚀性和毒性 ,避免对人体、坩埚和环境造成损害和污染; 7.易溶于对晶体无腐蚀作用的液体溶剂中,如水、酸或碱性溶液等,以便于生长结束时晶体与母液的分离。 8.很难找到一种能同时满足上述条件要求的助熔剂。在实际使用中,一般采用复合助熔剂来尽量满足这些要求。 例如:PbO 和 PbF2 表7.5 给出了一些常用的助熔剂和所生长的晶体。 P166

  6. 三、生长设备及操作方法 1.设备 1)生长炉:要求保温性能好,坩埚进出方便,耐腐蚀; 2)坩埚材料:Pt, 避免铅、铋、铁的影响(会与铂生成低共熔物)。使用铅基助熔剂时,加入少量PbO2可以增加坩埚的寿命。

  7. 2.生长工艺: 1)按比例配料,装炉; 2)生长过程中,精确控温; 3)分离残余溶液 (1)直接倾倒,再回炉缓冷; (2)直接冷却,溶解余液; (3)坩埚底部开孔; (4)特殊装置 a.倒转法:fig.7.4.2 b.倾斜法:fig.7.4.3

  8. 图7.4.2 倒转法示意图 (a)冷却到液相线温度以下;(b)生长阶段;(c)重新转回来,把晶体助熔剂分开 图7.4.3 坩埚倾斜法示意图

  9. 四、优缺点 1.适应性强; 2. 生长温度低; 3.晶体应力小,均匀完整; 4.设备简单。 1.速率慢,周期长,小晶体; 2.助溶剂有毒,污染炉体和环境。 优点 缺点

  10. 谢 谢!

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