Igbt insulated gate bipolar transistor
Download
1 / 8

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor - PowerPoint PPT Presentation


  • 184 Views
  • Uploaded on

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor' - nadda


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
Igbt insulated gate bipolar transistor

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor


Појавом IGBT компонете почетком осамдесетих година сједињене су добре особине биполарних транзистора и MOSFET-ова. Добијене карактеристике омогућиле су израду нових управљачких кола са много већом фреквенцијом рада што је нарочито искоришћено у области енергетске електронике посебно у колима за електронско паљење мотора са унутрашњим сагоревањем.


Структура IGBT компоненти заснована је на биполарном транзистору и MOSFET-у.

IGBT је снажна компонента која се пре свега користи у енергетској електроници. Одликује га напонско управљање као код MOSFET-а, велика снага коју може преносити и релативно висока фреквенција односно брзина рада гледајући то из угла снажних електронских компоненти, тиристора, снажних биполарних транзистора и FET-ова. Ради се у суштини о хибридној компоненти насталој ''стапањем'' биполарног транзистора и MOSFET-а. Симболи за IGBT приказани су на слици а. Структура је приказана на слици 2.

Структура IGBT


Слика 2. Унутрашња структура заснована је на биполарном транзистору и MOSFET-у.


Укључивање IGBT врши се тако што се спој гејт-сорс поларише позитивно VGE > 0 при чему се индукује n-каnал у p-слоју.Искључује се са напоном VGE = 0. Тиристорски ефекат јавља се при веома великим струјама кроз дрејн и тада се IGBT не може нормално искључити довођењем нуле на гејт. У том случају најчешће долази до прегоревања IGBT -а. Улазна отпорност му је велика као код MOSFET-а док су губици у устаљеном стању мали као код биполарног транзистора. Производе се у опсегу за напоне од 300-1800V и струје од 10-1000А.

Принципрада


Употреба IGBT компоненти најчешћа је код индуктивно-отпорних потрошача који обавезно имају замајну диоду


ad