Участник проекта МИССИЯ

1. Участник проекта МИССИЯ Подпроект «С3-МКМ-технология сборки» Создание технологии и участка сборки плотноупакованной аппаратуры на основе капиллярных соединений ООО «Многокристальные технологии» (Зеленоград) Генеральный директорООО «МКТ»А.И.Таран Тестовый образец С3-МКМ-устройства Имеющийся задел: базовая технология – С3-МКМ-технологияТМ (Россия) российские и зарубежные патенты опыт проектирования и изготовления образцов С3-МКМ Основные характеристики технологии: совместимость со стандартной технологией сборки флип-чип технологические нормы коммутационных подложек – 10-50 мкм размеры монтируемых кристаллов – до 20х20 мм контактов на кристалле (в матрице с шагом 250 мкм) – до 1600 на см2 плотность упаковки «активного кремния» – до 600 см2/литр Применение: сборка любой аппаратуры (мобильная, бортовая и т.п.)

2. Плотноупакованные узлы и блоки аппаратуры МИССИЯна базе С2/С3-МКМ-технологииТМ сборки

3. контактный узел Capillary Connect (С2) Фаза пайки Контакт 1 (на ПИ) Контакт 2 (на Si) Капиллярный соединительный элемент ПИ-коммутационная структура Фаза совмещения

4. контактный узелCapillary Chip Connect (С3) А А А А

5. C2/C3-технология: • Возможность контактирования по всей поверхности кристалла (а не только по периферии) • Нет флюсаи загрязнений (вакуумная пайка) • «Мягкий» процесс (даже для GaAS) • Малые размеры контактного узла (тонкий ПИ) • Высокая прочность контактного узла С2-контактный узел С3-контактный узел

6. «Универсальность» С2-технологии и С2-контактного узла 1) Многослойная ПИ-плата (монтаж ПИ на ПИ) 2) Монтаж Si (GaAs) на ПИ3) Монтаж ПИ на ПП (или другую подложку)

7. C2/C3-МКМ-технология:патенты Приоритет: 08.12.1998 4 патента РФ - получены 4 патента США - получены 2 ЕА-патента - в оформлении Автор:А.И.Таран

8. Планарный Многокристальный Модуль (МКМ)на жесткой коммутаци-онной подложке Полиимидная монтажная структура с капиллярны-ми соединительными элементами (КСЭ) Кремниевая коммутационная подложка

9. Этажерочный МКМ толщинаSi ~100мкм Толщина выравнива-ющей прокладки из полиимида ~100мкм Толщина монтажной подложки из полиими-да ~25 мкм Chip 1 Chip 2 ~ 500 мкм 100 мкм Chip 3 25 мкм 60мкм

10. 60 мм 35 мм Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-card (на базе МКМ-PC-card) Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-104 (на базе МКМ-PC-104) 70 мм 60 мм 96 мм 85 мм базовый МКМ-PC-104 (60х70 мм) 92 мм 55 мм Базовые конструкции унифицированного процессорного модуля 35 мм базовый МКМ-PC-card (35х60 мм) МКМ для базового ТЭЗ-МКМ 35 мм

11. 50 мм 50 мм 5 мм Типовой элемент замены (ТЭЗ) на базе С2/С3-МКМ (основные характеристики) Суммарная площадь «активного» кремния ~ 8 см2 Вес ~ 10 г Рассеиваемая мощность ~ 5 Вт Стойкость «Мороз», «Климат»

12. ТЭЗ-С2-МКМ Pent M + 256 Мб ТЭЗ-С2-МКМ Pent M + 256 Мб ТЭЗ-С2-МКМ Pent M + 256 Мб ТЭЗ-С2-МКМ Pent M + 256 Мб Типовой элемент замены (ТЭЗ) на базе С2/С3-МКМ (мобильный системный блок компьютера) 50 мм Pentium M+256 Мб (5 Вт) МиниТера (4 Вт) 20 мм ФЛЭШ-16 Гб (2 Вт) ИП-15 Вт 50 мм

13. Вариант конструкции плотноупакованной аппаратуры на базе ТЭЗ-С2/С3-МКМ 112 мм 160 мм ~ 600 см2 «активного» кремния 100 мм

14. Массовый отказоустойчивый высокопроизводительный процессорный модуль «Кубик» для инноватики Pentium-совместимое ядро Потоковый реконфигурируемый сопроцессор 0,1-0,3 трлн опер/сек Встроенный аккумулятор ~20 Вт*час Размеры ~6х6х6 см Себестоимость ~300 уе

15. Массовый ПК-1К(убик)

16. Массовый ПК-2К(убик)

17. Терапроизводительный(триллион опер/сек/литр) унифицированный узел (из 4-х кубиков) суперкомпьютера с наращиваемой производительностью