slide1
Download
Skip this Video
Download Presentation
RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 13

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N - PowerPoint PPT Presentation


  • 96 Views
  • Uploaded on

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N. V áclav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, hol [email protected] GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů Modré, zelené a bílé světelné diody. Struktura GaN:. Wurtzitová mřížka.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N' - lilika


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN

Václav Holý

Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5,

[email protected]

Informace pro studenty

slide2

GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů

Modré, zelené a bílé světelné diody

Informace pro studenty

slide5

Struktura GaN:

Wurtzitová mřížka

Informace pro studenty

slide6

Zakázaný pás šířky asi 3.1 eV

Depozice metodou CVD na různé substráty: Al2O3, SiC, Si(111)

Informace pro studenty

slide7

(0001) basal c-plane

Informace pro studenty

slide8

(1120) a-plane

Informace pro studenty

slide9

a-GaN:

basal stacking faults in (0001) planes, prismatic stacking faults in {1210} a-planes

Basal stacking faults:

fcc-like segment

See the review in M. A. Moram and M. E. Vickers, Rep. Prog. Phys. 72, 036502 (2009)

Informace pro studenty

slide10

R. Liu, A. Bell, and F. A. Poncea, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005).

cross-section TEM with basal SFs

basal and prismatic SFs

HRTEM, basal SF, type I1

Informace pro studenty

slide11

In most cases, the basal stacking faults in the (0001) plane are larger than the coherence width of primary radiation  the stacking faults give rise to streaks in reciprocal space along [0001].

The simulation of the intensity distribution along the streak is made by a Monte-Carlo method

Ideal hcp stacking:

Ideal fcc stacking:

I1 stacking fault:

We assumed geometric distribution of random distances between stacking faults

Informace pro studenty

slide12

Cíle bakalářské práce:

1. Simulace rtg difrakce na vrstvách a-GaN s vrstevnými chybami

2. Měření rtg difrakce na epitaxních vrstvách a-GaN (prof. Krost, Univ. Magdeburg, prof. Hommel, Univ. Bremen) v naší rtg laboratoři a na synchrotronech

Informace pro studenty

slide13

Co požadujeme:

Dobré znalosti přednášky Fyzika IV

Zručnost práce s počítačem

Základní znalost programování (Matlab)

Základní experimentální dovednosti, např. chytnout vzorek do pinzety tak, aby nespadl na zem 

Co nabízíme:

Slušné zacházení a přátelské prostředí (zeptejte se sami Vašich kolegů)

Zajímavou práci na zajímavém tématu na unikátních vzorcích

Cestování na synchrotrony (Hamburg, Grenoble, aj.) pokud budete mít zájem

M. Barchuk, V. Holý, B. Miljevic, B. Krause, T. Baumbach, J. Hertkorn, and F. Scholz, Journal of Appl. Phys. 108, 043521  (2010).

M. Barchuk, V. Holý, B. Miljević, B. Krause, and T. Baumbach, Appl. Phys. Lett. 98, 021912 (2011).

M. Barchuk, V. Holý, D. Kriegner, J. Stangl, S. Schwaiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 84, 094113 (2011).

Informace pro studenty

ad