E … emitorový
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 13

Bi polární tranzistor PowerPoint PPT Presentation


  • 95 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

E … emitorový. B … kontakt. kontakt. báze. SiO. 2. n-Si …. emitor. p-Si … báze. n-Si … kolektor. +. n. -Si. kolektorový. kontakt … C. řez strukturou pro. jednorozměrný model. Bi polární tranzistor. Struktura bipolárního tranzistoru opakov ání z přednášek.

Download Presentation

Bi polární tranzistor

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


Bi pol rn tranzistor

E … emitorový

B … kontakt

kontakt

báze

SiO

2

n-Si …

emitor

p-Si … báze

n-Si … kolektor

+

n

-Si

kolektorový

kontakt … C

řez strukturou pro

jednorozměrný model

Bipolární tranzistor

Struktura bipolárního tranzistoruopakování z přednášek

Zjednodušený jednorozměrný model

C

E

n

p

n

emitor

báze

kolektor

B

Verze ze dne 26.03.2003


Bi pol rn tranzistor

++

U

BC

U

BC

I

C

I

I

B

C

I

+

U

B

CE

U

CE

I

E

I

E

U

BE

U

U

BE

BE

Normální aktivní režim náhradní model

přechod CB - zavřen

++

U

BC

I

C

I

+

B

=>

=>

U

CE

=

I

E

přechod EB - otevřen


Bi pol rn tranzistor

I

I

B

B

U

CE

U

U

BE

BE

h21 = 100

IC

UCE

Normální aktivní režim, NPN, SE, ss pr. bod

NPN

přechod EB - otevřen

přechod CB - zavřen

50 uA

I

C

5 mA

U

CE

I

E

++

U

10 V

BE

10 V

Příklad pracovního bodu:

UBE = 0,6 V

IB = 50 uA

h21 = 100

UCE = 10 V

IC = h21*IB = 5mA

50 uA

5 mA

I

C

I

B

+

=

I

50 uA

E

0,6 V

Pro IB>0 a UCE > 0

Pro UCE > UCES

0,6 V


Bi pol rn tranzistor

REŽIMY ČINNOSTI TRANZISTORU

opakování z přednášek

režim saturace

UBE > 0, UBC > 0

UBC = 0

hranice režimu saturace

IC

režim aktivní normální

UBE > 0, UBC < 0

IB

IB = 0

UCE

režim závěrný

UBE < 0, UBC < 0

UBE = 0

hranice závěrného režimu


Bi pol rn tranzistor

Charakteristiky bipolárního tranzistoru

tranzistor NPN, zapojení SE(opakování z přednášek)

proudová převodní

výstupní

IC [mA]

UCE> 0,5 V

IB [A]

IB [A]

UCE [V]

IB

UCE= 0

UCE> 5 V

vstupní

UBE [mV]

zpětná


Bi pol rn tranzistor

+ U

N

R

C

I

C

U

I

BC

B

U

CE

R

U1

B

U

BE

I

E

Tranzistor NPN v zapojení SE, nastaveni ss pracovního bodu

ObvodTR1.


Bi pol rn tranzistor

+ U

N

R

C

I

C

U

I

I

BC

B

B

U

CE

R

U1

B

U

BE

I

U

E

BE

C. grafické řešení

UCE = UN - IC * RC

UN/RC

UBE = U1 - IB * RB

U1/RB

U1

UN

IC

UCE

TR1. Tranzistor NPN v zapojení SE, NAR, ss pracovní bod

A. pomocí rovnic1.

UBE = 0,7 V

IC = IB * h21

U1 = IB * RB + UBE

UN = IC * RC + UCE

B. logika

V obvodu si postupně doplńujeme hodnoty R,U,I

Základ - Ohmúv zákon I = U/R


Bi pol rn tranzistor

Příklady

Příklad 1A.

Dáno: UN = 15 V, U1 = 5,7 V, h21 = 200, UCE = 8 V, IC = 5 mA

Určete: RB, RC

Příklad 1B.

Dáno: UN = 20 V, U1 =10,7 V, h21 = 100, RB = 1MO, RC = 1kO

Určete: UCE, IC, IB

Příklad 1C.

Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RB = 1 MO, RC = 2,2 kO

Určete: UCE, IC, IB

Příklad 1D.

Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RC = 2,2 kO

Určete: RB, aby tranzistor pracoval v NAR


Bi pol rn tranzistor

Řešení

Řešení 1A:

RC = (UN - UCE) / IC = (15 – 8) / 5 kO = 1,4 kO

IB = IC / h21 = 5/200 mA = 25 uA

RB = (U1 – UBE) / IB = (5,7 – 0,7) / 0,025 kO = 200 kO

Řešení 1B:

IB = (U1 – UBE) / RB = (10,7 – 0,7) / 1 uA = 10 uA

IC = IB * h21 = 10 * 100 uA = 1 mA

UCE = UN – IC * RC = 20 – 1*1 V = 19 V

Řešení 1C:

IB = (U1 – UBE) / RB = (20 – 0,7) / 1 uA = 19,3 uA = 20 uA

IC = IB * h21 = 0.02 * 500 uA = 10 mA

UCE = UN – IC * RC = 20 – 10 * 2,2 = 20-22 V = -2 V

POZOR !! UCE < UCES V ..... TRANZISTOR PRACUJE V SATURACI !!!

zvolíme UCE = UCES = 0,2 V

IC = (UN - UCES) / RC = (20 - 0,2) / 2,2 mA = 9 mA

Řešení 1D:

UBE <= UCE

U1 – IB *RB <= UN – IB * h21 * RC

RB >= (U1 – UN)/IB + h21 * RC

RB >= h21 * RC

RB >= 1,1 MO


Bi pol rn tranzistor

+ U

N

R

C

I

C

U

I

BC

B

U

CE

R

U1

B

U

BE

I

E

Vyzkoušejte si v Excelu (TR1.XLS)


Bi pol rn tranzistor

I

IZ

R

ID

U1

U2

UD

RZ

Opakování

Navrhněte stabilizátor se stabilizační diodou, kde

U1ss = 15 V, u1str = +- 5V

Rzmin = 0 ,

Rzmax = 1kO

D: Uz = 10V, rd = 1O, Izmax = 50 mA

Určete:

Stabilizační činitel pro Rz = 500 O

Výkonové zatížení všech součástek

Verze ze dne 26.03.2003


Bi pol rn tranzistor

Nakreslete zapojení hradla OR pomocí diod.

Vstupní napětí U1 a U2 je 0V a 5V, zatěžovací odpor je 1kO.Vypočtěte napětí a proudy pro všechny možné kombinace vstupních napětí.


Obvod tr 1

Obvod TR1

  • Musíte dokonale porozumět tomuto obvodu

  • Výpočet jednoho příkladu je 2 minuty.

  • Pokud vám výpočet trvá déle, opakujte

  • Nejlépe si zapamatujete, při opakování

    • za 2 dny

    • za 7 dni

    • za měsíc

  • Pokud nejdete chybu, nebo Vám nebude něco jasné, pište [email protected]


  • Login