광전재료및그응용

1. 광전재료및그응용 • 이름 유영범 • 최성우 • 허건의

2. CIGS 태양전지 Miasole Global Solar Daystar Ascent Solar NanoSolar Solopower Heliovolt Sulfur Cells Aleo Solar Johanna Solar Tech Solisbro Avancis Odersun Scheuten Solar Wurth Solar Showa Shell Shell Solar Honda

3. 태양전지 흡수층의 제조방법 등록번호 US0116893 등록일자 2007년 5월24일 특허권자Daysolar 특허국 : US 제목 : Low-Hydrogen Photovoltaic Cell 요약/설명 CIGS층을 Selenization방법으로 형성할 때에 사용하는 H2Se 가스의 독성 문제 및 태양전지의 효율저하 문제 그리고 금속 Foil 기판에 대한 부식성 문제를 해결하기 위해 H2Se의 사용을 제한하는 방법 및 그에 이용되는 Apparatus 대표도면

4. 태양전지 흡수층의 제조방법 등록번호 US7319190 등록일자 2008년 1월15일 특허권자Daysolar 특허국 : US 제목 : Thermal Process for Creation of an In-situ Junction Layer in CIGS 요약/설명 기존에 Chemical Bath Deposition 방법으로 성막한CdS버퍼및Junction Partner 층이 갖는 공정상의 불리함을 해소하기 위하여 기존의 공정을 대체하여 InxSe1-x층을 진공에서 In-situ로 증착하여 공정의 효율성을 향상하는 방법 대표도면

5. 태양전지 흡수층의 제조방법 등록번호 US6372538 등록일자 2002년 4월16일 특허권자Global Solar 특허국 : US 제목 : Fabrication of Thin-Film, Flexible Photovoltaic Module 요약/설명 유연한 기판 상에 만들어진 태양전지는 Roll-to-roll 공정을 통한 공정 효율성의 향상 및 운송 및 설치의 용이성과 같은 장점을 갖는다. 이와 같은 장점을 활용하기 위해 Polyimide 기판 상에 CIGS 태양전지를 구성하는 방법 대표도면

6. 태양전지 흡수층의 제조방법 등록번호 US6974976 등록일자 2005년12월13일 특허권자Miasole 특허국 : US 제목 : Thin Film Solar Cells 요약/설명 CIGS 태양전지를 구성하는 모든 층을 Sputtering으로 증착하는 방법 고효율 Back Contact를 위한 ZrN층의 사용 Cd이 없는 ZnS Window층의 진공증착 대표도면

7. 태양전지 기판 등록번호 US2007/0209700 등록일자 2007년9월13일 특허권자Honda motor Co. 특허국 : US 제목 : Chalcopyrite type solar cell 요약/설명 Chalcopyrite type solar cell은 기존에 비해 고온 공정을 가능케 하는 운모입자와 resin으로 결합된 운모 aggregate 기판으로 제작된다. 기판과본체 사이에 는 smoothing layer와 binder layer가 존재한다. Smoothing layer는 SiN이나 SiO2로 만드는 것이 좋으며, binder layer는 TiN이나 TaN으로 제작된다. 대표도면

8. 태양전지 흡수층의 제조방법 제목 : Photovoltaic Devices and Compositions for Use Therein 등록번호 US6559372 등록일자 2003년 5월 6일 특허권자Heliovolt 특허국 : US 요약/설명 각각 증착한2개의 Precursor Layer를 증착하고두번째 층을 첫번째 층에 접착시켜 Transfer한 뒤 이를 Annealing하여 흡수층을 만드는 방법. 이와 같은 방법을 통해 서로 다른 두가지 이상의 증착법 혹은 장비를 이용하여 증착한두개의layer를 합쳐 사용함으로서 기존의 방법으로 구현하지 못했던 흡수층의Defect Structure를 구성할 수 있다. 대표도면

9. 태양전지 흡수층의 제조방법

10. 태양전지 흡수층의 제조방법 [APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake ...US Pat. 11362266 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High throughput surface treatment on coiled flexible substratesUS Pat. 11374716 - Filed Mar 13, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of ...US Pat. 11395668 - Filed Mar 30, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake ...US Pat. 11361498 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]INDIVIDUALLY ENCAPSULATED SOLAR CELLS AND SOLAR CELL STRINGS HAVING A ...US Pat. 11462363 - Filed Aug 3, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake ...US Pat. 11361688 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of chalcogen layerUS Pat. 11361522 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of chalcogen layer and the use of an inter-metallic ...US Pat. 11395438 - Filed Mar 30, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]Optoelectronic device and frabrication methodUS Pat. 11375413 - Filed Mar 13, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter ...US Pat. 11394849 - Filed Mar 30, 2006 - Nanosolar, Inc. [APPLICATION]SOLAR ASSEMBLY WITH A MULTI-PLY BARRIER LAYER AND INDIVIDUALLY ENCAPSULATED ...US Pat. 11462360 - Filed Aug 3, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of thermal ...US Pat. 11361523 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low ...US Pat. 11361103 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake ...US Pat. 11361433 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of ...US Pat. 11361515 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]INDIVIDUALLY ENCAPSULATED SOLAR CELLS AND SOLAR CELL STRINGS HAVING A HYBRID ...US Pat. 11460618 - Filed Jul 27, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of nanostructured semiconductor precursor layerUS Pat. 11361521 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of ...US Pat. 11361464 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]Photovoltaic devices printed from nanostructured particlesUS Pat. 11361497 - Filed Feb 23, 2006 - Nanosolar, Inc.[APPLICATION]High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter ...US Pat. 11395426 - Filed Mar 30, 2006 - Nanosolar, Inc.

11. 태양전지 흡수층의 제조방법

12. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2004-0029221 출원일자 2004년04월27일 특허권자(주)인솔라텍 • 태양전지 흡수층의 제조방법 요약/설명 본 발명은 태양 전지 흡수층으로 사용되는 CuInSe2 및 CuIn1-xGaxSe2 박막을 화학당량비에 가까운 구조를 갖도록 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상에 [Me2In-(μSeMe)2] 전구체를 사용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 InSe박막을 형성하고, 상기 InSe박막 상에 (hfac)Cu(DMB) 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 Cu2Se 박막을 형성한 후 상기 Cu2Se 박막 상에 [Me2In-(μSeMe)2] 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해CuInSe2 박막을 제조하는 것이다. 나아가 상기 CuInSe2 박막 상에 [Me2Ga-(μSeMe) 2] 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 CuIn1- xGaxSe2 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 대표도면

13. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2005-0002969 출원일자 2005년01월12일 특허권자(주)인솔라텍 태양전지용 광흡수층 및 그 제조 방법 요약/설명 본 발명은 태양전지용 광흡수층으로 사용되는 CuInSe2, CuGaSe2 및 CuIn 1-xGaxSe2 박막을 다층으로 적층하여 태양광의 흡수 능력을 향상시킬 수 있는 태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 상에 In 및 Se를 포함하는 단일 전구체를 사용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 InSe박막을 형성하는 단계; 상기 InSe박막 상에 Cu 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 Cu2Se 박막을 형성하는 단계; 상기 Cu2Se 박막 상에 Ga및 Se를 포함하는 단일 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 CuGaSe2 박막을 형성하는 단계; 및 상기 CuGaSe2 박막 상에 In및 Se를 포함하는 단일 전구체와Cu 전구체를 이용한 유기금속 화학기상 증착법에 의해 CuGaSe2/CuInSe2 구조의 다층박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 대표도면

14. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2006-0055064 출원일자 2006년06월19일 특허권자 ㈜인솔라텍 태양전지용 광흡수층의 제조방법 요약/설명 본 발명은 기판상에 태양전지용 광흡수층으로 사용되는 I-Ⅲ-Ⅵ2 화합물의 박막을 경제적이면서도 효율적으로 형성할 수 있도록 한 태양전지용 광흡수층의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 Ⅲ족 및 Ⅵ족 원소를 포함하는 단일 전구체를유기금속 화학기상 증착법으로증착시켜Ⅲ-Ⅵ 또는 Ⅲ2-Ⅵ3 화합물 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 Ⅲ-Ⅵ 또는 Ⅲ2-Ⅵ3 화합물 박막 상에 I족 금속을 포함하는 전구체를 유기금속 화학기상 증착법으로증착시켜I족, Ⅲ족, Ⅵ족으로 구성된 I+Ⅲ+Ⅵ족 화합물 박막을 형성하는 제2 단계; 및 상기 I+Ⅲ+Ⅵ족 화합물 박막을 Ⅵ 족 원소 함유가스 분위기하에서 열처리 하거나 또는 Ⅵ족 원소를 포함하는 단일 전구체를 유기금속 화학기상 증착법으로증착시켜I-Ⅲ-Ⅵ2 화합물 박막을 형성하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층의 제조방법을 제공한다. 대표도면

15. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2005-0037495 출원일자 2005년05월04일 특허권자 한국에너지기술연구원 태양전지 광흡수층용Cu(In,Ga)Se₂나노분말제조방법 요약/설명 본 발명은 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe2 화합물 반도체 합성방법에 관한 것으로, 그 목적은 CIS로 대표되는 I-III-VI2 화합물 반도체 태양전지의 광흡수층을 간편하고 값싸게 제조하는 공정인 스프레이, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터블레이드, 캐스팅 등의 방법으로 막을 형성한 후 열처리 하기 위해 열처리 온도를 최대한 낮출 수 있도록 용매열법으로 낮은 온도와 압력에서 공정 변수의 제어를 통하여 균일한 형상의 막대 모양 나노 입자를 합성방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 용매열 방법으로 CuInSe2 화합물 반도체를 제조하는 방법에 있어서, 원료물질로 CuCl2ㆍ2H2O, InCl3ㆍ4H2O과 셀레니움(selenium)분말을 원료로 하되, 원료물질 중 Cu, In, Se 의 몰비를 1: 1: 2로 하여 장입 후 디에틸아민(diethylamine) 용매 속에서 반응시켜 균일한 막대 모양의 CIS 나노입자를 제조하는 방법을 특징으로 한다. 대표도면

16. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2005-0037550 출원일자 2005년05월04일 특허권자 한국에너지기술연구원 용매열법을 이용한 나노바 형태의 CuInSe₂화합물반도체 합성방법 요약/설명 본 발명은 태양전지 광흡수층용Cu(InGa)Se2 나노분말 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 태양전지의 광흡수층으로 사용되는 CIGS 박막을 제조단가가 비싼 고진공공정을 사용하지 않는 저가의 공정으로 제조하는데 필수적인 구형의 Cu(InGa)Se2 (CIGS) 나노입자를 간편하고 편리하게 직접적으로 합성하는 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 용매열 방법에 의한 화합물 반도체의 제조 방법에 있어서, 원료물질로 Cu, In+Ga, Se 분말을 에틸렌디아민(ethylenediamine) 용매 속에서 몰비1: 1: 2로 장입하여 반응시켜 구형의 CIGS 나노 분말을 제조하는 것을 특징으로 한다 대표도면

17. 태양전지 흡수층의 제조방법 출원번호 10-2004-0085236 출원일자 2004년10월25일 특허권자 한국에너지기술연구원 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2Cu(In,Ga)(Se,S)₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드설파이드버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 요약/설명 본 발명은 용액성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2(이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)2 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드설파이드버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐옥시하이드로옥사이드설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐옥시하이드로옥사이드설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이용액성장법으로버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다. 대표도면

18. 태양전지 흡수층의 제조방법 CuInSe2 (CIS）particle의 제조방법 출원번호 10-2006-0127386 출원일자 2006년12월13일 출원인 엘지마이크론 주식회사 요약/설명 본 발명은 태양전지 흡수층에 사용되는 CuInSe2(CIS) particle을 유기용매열 반응을 이용하여 합성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 CuInSe2(CIS) particle 의 제조방법은 톨루엔과 에틸렌다이아민이 혼합된 혼합용매에 CuCl분말, InCl3분말, Se분말을 화학량몰비가1:1:2 가 되도록 혼합한 혼합분말을 상기 용매에 혼입하고, 상기 혼합용매와 상기 혼합분말을 반응시키는 것을 특징으로 한다. 특히 본 발명의 상기 혼합용매는 톨루엔과 에틸렌다이아민의 배합비율을 1:1 또는 2:1로 하고 180℃의 온도에서 18~24시간에서 반응시키는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 에틸렌다이아민(ethylenediamine)에 톨루엔을 혼합한 용매를 이용하여 용매열 반응을 이용한 CIS합성을 하여, 유독성이 강하고 고가의 에틸렌다이아민사용양을 현격하게 줄일 수 있는 효과가 있다. 특히, 반응온도와 반응시간을 줄임으로써 CuInSe2(CIS) particle 의 제조비용감축과 생산효율을 증진 시킬 수 있는 효과도 있다 대표도면