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6.2 半导体二极管

6.2 半导体二极管. 6.2.1. 结构与分类 6.2.2. 伏安特性和主要参数 6.2.3. 二极管的应用 6.2.4. 特殊二极管. 6.2 半导体二极管. 触丝线. PN 结. 外壳线. 基片. 引线. P. N. PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。. 6.2.1. 结构与分类. 6.2.2 伏安特性和主要参数 1. 伏安特性. I. 点接触型. 导通压降 : 硅管 0.6~0.7V, 锗管 0.2~ 0.3V 。. 死区电压 硅管 0.6V, 锗管0 .2V 。. U. 面接触型. 反向击穿电压 U BR.

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6.2 半导体二极管

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Presentation Transcript


  1. 6.2 半导体二极管 6.2.1.结构与分类 6.2.2.伏安特性和主要参数 6.2.3.二极管的应用 6.2.4.特殊二极管

  2. 6.2 半导体二极管 触丝线 PN结 外壳线 基片 引线 P N PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 6.2.1.结构与分类 6.2.2伏安特性和主要参数 1.伏安特性 I 点接触型 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 U 面接触型 反向击穿电压UBR 二极管的电路符号:

  3. 2.主要参数 1. 最大整流电流IOM 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 HOME

  4. 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 HOME

  5. iD Q ID iD uD UD 4. 微变电阻 rD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比: uD 显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 二极管:死区电压=0 .5V,正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 HOME

  6. ui t ui uo RL uo t 6.2.3 二极管的应用 1.整流电路 HOME

  7. 2.限幅电路 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。 (a)电路图 (b)波形图 图6.8 单相限幅电路 HOME

  8. 3.钳位电路 钳位电路是使输出电位钳制在某一数值上保持不变的电路。 设二极管为理想元件: 当输入UA=UB=3V时,二极管V1,V2正偏导通,输出被钳制在UA和UB上,即UF=3V; 当UA=0V,UB=3V,则V1导通,输出被钳制在UF=UA=0V,V2反偏截止。 图6.9 钳位电路(与门) HOME

  9. 4.检波电路 检波电路是把信号从已调波中检出来的电路。 图6.10 检波电路 HOME

  10. 6.2.4 特殊二极管 1. 发光二极管 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 发光二极管符号 HOME

  11. I U 照度增加 2 . 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 光电二极管符号 HOME

  12. 3. 光电耦合器 如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件。 光电耦合器符号 HOME

  13. I 稳定电压 + UZ 工作区 4.稳压二极管 它专门工作在反向击穿区! 稳压管符号 曲线越陡,电压越稳定。 UZ U IZ 特性曲线 HOME

  14. (2)电压温度系数U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的的系数。 稳压二极管的参数: (1)稳定电压UZ (3)动态电阻 (4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 (5)最大允许功耗 HOME

  15. i 电流通路 R ui U0 VZ1 稳压二极管的应用举例 1、已知ui=20V, UZ1=6V,求U0 =? 分析: 稳压管反向击穿 解: U0 = 6V HOME

  16. R VZ1 ui u0 VZ2 2、已知ui=20V, UZ1=6V, UZ1=9V,求U0 =? 答案: u0 = 6+9 = 15 V HOME

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