Halbleiterelektronik

1. Halbleiterelektronik

2. Energieniveaus in Gasen Beugungsspektrum von Quecksilberdampf: Hochdruck Niederdruck 700 600 500 400 nm Einzelne Energieniveaus in freien Atomen (Niederdruck-Spektrum) verbreitern, wenn die Atome auf einen geringeren Raum zusammengedrückt werden (Hochdruck-Spektrum). 2

3. Energieniveaus in kristallinen Festkörpern 4p N 4s 3d Energiebänder M 3p 3s Energielücken 2p L 2s K 1s Energie Energetische Verteilung der 29 Elektronen eines Kupferatoms auf verschiedene Teilschalen Energetische Verteilung eines mehratomigen Systems von 3 ∙ 29 = 87 Kupferatomen Bohr´sche Schalen

4. Bändermodell für Nichtleiter und Metalle Nichtleiter Metall Das höchste besetzte Niveau befindet sich an der oberen Kante eines Bands; das nächsthöhere freie Niveau ist um eine vergleichsweise große Energielücke davon entfernt. Das höchste im Grundzustand besetzte Niveau befindet sich in der Mitte eines Bands. Da innerhalb dieses Bands weitere Niveaus unbesetzt sind, können Elektronen in diesem Band ihre Niveaus leicht wechseln und es kann ein Strom fließen. gefüllte Niveaus = rot, leere Niveaus = grün

5. Stromleitung im metallischen Leiter Metalle mit guter Leitfähigkeit haben alle die gleichen Eigenschaften hinsichtlich ihrer Elektronen: Ein oder zwei Valenzelektronen lösen sich leicht vom Atom und diffundieren durch das Kristallgitter. Wird Spannung angelegt, so erhält die Diffusion eine Vorzugsrichtung: => Strom fließt Je höher die Temperatur des Metalls, desto heftiger ist die thermische Eigenbewegung der Atome. Diese behindert die Diffusion in der Vorzugsrichtung: => der Widerstand steigt mit der Temperatur

6. Kaltleiter (PTC-Widerstand) - Heißleiter (NTC-Widerstand) Schaltzeichen: υ υ R/Ω R/Ω z. B. oder T/°C T/°C Der Widerstand steigt (meist proportional) zur Temperatur Sinkt der Widerstand mit zunehmender Temperatur, so sprechen wir von einem Heißleiter. Alle Metalle sind . => Kaltleiter Heißleiter werden meist aus Halbleitermaterialien hergestellt. Aber: Nicht alle Kaltleiter sind Metalle!

7. Anwendungsbeispiele υ υ υ PTC-Widerstand als Temperaturwächter NTC-Widerstand als Brandmelder υ Hupe Relais Flüssigkeit, kälter als Umgebungsluft Lampe brennt

8. Bändermodell für Halbleiter Leitungsband Valenzband Nichtleiter Halbleiter

9. Dotierte Halbleiter Der Halbleiterkristall ist aus einer regelmäßigen Folge von „Einheitszellen“ aufgebaut. Diese erhält man, indem man den Kristall aus seiner Schmelze „zieht“. Manchmal entstehen dabei Versetzungen und Strukturänderungen im Kristall. Man kann solche „Störstellen“ provozieren, indem man der Schmelze eine kleine Menge eines anderen Stoffes beimischt. Dies nennt man dotieren.

10. n-dotierte Halbleiter Leitungsband EL ED (1) (2) Valenzband (3) Das Energieniveau ED der Leitungselektronen liegt dicht unter dem Leitungsband. Die je ein Leitungselektron gebenden Fremdatome nennt man Donatoren. • Sie benötigen nur ganz • wenig Energie um ins • Leitungsband zu springen Die Stromleitung in einem n-Leiter erfolgt fast ausschließlich durch Elektronen.

11. p-dotierte Halbleiter Leitungsband EA EL (1) (2) Valenzband (3) Das Energieniveau EA des Leitungselektronen liegt dicht über dem Valenzband. Die je ein Valenzelektron aufnehmenden Fremdatome nennt man Akzeptoren. • Die „freien Plätze“ der • Akzeptoren sind für Elektronen • aus dem Valenzband leicht • erreichbar. Die Stromleitung in einem p-Leiter erfolgt fast ausschließlich durch „Löcherleitung“

12. pn-Übergang p-dotiert n-dotiert vor Kontakt: - - - + + + Zwei elektrisch für sich neutrale Werkstoffe; einer p-dotiert, der andere n-dotiert - - - + + + - - - + + + Löcher freie Elektronen fest gebundene Atomrümpfe p n Kontakt: Diffusion von Löchern in die n-Schicht und von Elektronen in die p-Schicht „Diffusionsstrom“ - - - - - - + + + + + + Ladungsausgleich / Rekombination - - - - - - + + + + + + nach Kontakt: p n - - - - - - + + + + + + Ausbildung einer „Sperrschicht“; auch „Raumladungszone (RLZ)“ genannt

13. Diode Ein Halbleiterbauelement mit kombinierter pn-Leitung wird als Diode bezeichnet. p n Elektronenstrom: - - - + + + + - - - - + + + techn. Stromrichtung: Löcher - - - + + + Durchlassrichtung der Diode freie Elektronen Schaltzeichen: p n Anode Kathode - - - + + + - + - - - + + + p-Gebiet n-Gebiet Löcher - - - + + + freie Elektronen Sperrrichtung der Diode Ein pn-Übergang wirkt als Gleichrichter, er lässt den Strom nur in eine Richtung fließen.

14. Diodenkennlinie Durchlassbereich: I (mA) Bei „kleiner“ Spannung sperrt die Diode den Strom wegen der Ladungsträgerarmut in der RLZ. Ab einem (bautypischen) Schwellenwert beginnt die Diode zu leiten, da die Ladungsträger nun genug Energie besitzen, um die Sperrschicht zu überwinden. U (V) Sperrbereich: Bei Umpolung vergrößert sich die Sperrschicht. Ab einer bestimmten Sperrspannung UR werden die Elektronen aus ihren Kristallbindungen gelöst. Es kommt zum sog. Zenerdurchbruch. Dabei steigt der Strom schlagartig an. Wird dieser Strom nicht begrenzt, dann zerstört er die Diode.

15. Bändermodell für eine Diode vor Kontakt: p-dotiert n-dotiert Leitungsband - - - + + + - - - + + + - - - + + + Löcher Valenzband freie Elektronen fest gebundene Atomrümpfe Kontakt: - - - + + + Rekombination - - - + + + Energieschwelle = Schwellspannung ∙ e nach Kontakt: - - - + + + - - - + + + RLZ - - - + + + RLZ - - - + + +

16. Diodenschaltungen Einweggleichrichtung: I1 I2 U2 U1 U1 U2 Brückenschaltung: (Vollgleichrichtung) I1 U2 U1 U1 I2 U2

17. Diodenschaltungen Einweggleichrichter mit Kondensator: I1 I2 U2 U1 U1 U2 Brückenschaltung mit Kondensator: I1 U1 U2 U1 I2 U2

18. Leuchtdioden Schaltzeichen: Anode Kathode + Die in Durchlassrichtung angelegte Spannung bewirkt in der Sperrschicht die Rekombinationen von Elektronen und Löchern. Dabei wird Energie in Form von Licht frei. p n -

19. Lichtabhängige Halbleiterelemente Schaltzeichen: Fotodioden: Anode Kathode Die Gehäuse von Fotodioden besitzen ein transparentes Fenster oder bestehen komplett aus transparentem Kunststoff. Fotodioden zum Empfang infraroter Signale (z. B. Fernbedienung) besitzen einen Tageslicht-Sperrfilter; sie sind z. B. in dunkel eingefärbtem Kunstharz vergossen.

20. - - - + + + - - - + + + RLZ - - - + + + Solarzelle - + RLZ Stromfluß von Elektronen aus metallischer Trägerplatte über p-Schicht in n-Schicht, wobei die Lichtenergie die RLZ aufrecht erhält !

21. Transistor (npn) C C n B B p n E E n p n 4V/0,04A + 10 kΩ 4,5 V -

22. Transistor als Schalter (Lichtschranke) 4V/0,04A LDR 10 kΩ + Trifft Licht auf den LDR, so sinkt dessen Widerstand, es fällt an ihm eine geringere Spannung als vorher ab. Da die Gesamtspannung am Spannungsteiler gleich bleibt, muss nun am Potentiometer eine höhere Spannung als vor der Beleuchtung abfallen. Somit hat aber auch die Spannung zwischen Basis und Emitter zugenommen. Die Basis-Emitter-Diode wird leitend und es tritt der Transistor-Effekt ein. 4,5 V -

23. Transistor als Schalter Steuerstromkreis Laststromkreis 10 kΩ Relais 4,5V 230 V 1 kΩ - + LDR Dämmerungsschalter: Sinkt die Umgebungshelligkeit, wird der LDR hochohmig. Dadurch liegt positives Potential an der Basis des Transistors und das Relais schließt den Laststromkreis. 23

24. Transistor als Verstärker Darlington-Schaltung Darlington-Schaltung Berührungsschalter: 110 Elektronen 12210 Elektronen 1 Elektron 111 Elektronen IB = Basisstrom / Steuerstrom IC = Kollektorstrom / Arbeitsstrom 24