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Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix

Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix. David ATTIÉ. Réunion RESIST. CEA Saclay. 3 novembre 2008. Introduction. Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid. Pilier. SiProt. aSi:H, Si 3 N 4. Puce TimePix. TimePix + InGrid. 55 m m. m. μ. 55. 4. 4. 55 m m. 2. 2. 3. 3. 1. 1.

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Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix

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Presentation Transcript

  1. Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix David ATTIÉ Réunion RESIST CEA Saclay 3 novembre 2008

  2. Introduction • Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid Pilier SiProt aSi:H, Si3N4 Puce TimePix Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  3. TimePix + InGrid 55 mm m μ 55 4 4 55 mm 2 2 3 3 1 1 5 5 55 μ m Pixel 20 μm de a-Si:H Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  4. Micro TPC à base de puce TimePix Fenêtre pour sources X Schéma : Capot Fenêtre pour source b Cage de champ Micromegas puce de lecture Medipix2/TimePix Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  5. Micro-TPC TimePix/Micromegas + 20 μm • Puce TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas • 90Sr source • Ar  He • Mode Temps • z ~ 40 mm • Vmesh = -340 V • tshutter = 180 μs Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  6. TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5) Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  7. TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas Ar/Iso (95:5) 1 Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  8. TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 1 320 ns Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  9. TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 1 Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  10. TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) 2 150 ns Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  11. TimePix + SiProt 15 μm + InGrid Ar/Iso (95:5) 2 Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  12. TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas 50 ns 2 Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  13. Silicon Nitride Si3N4 • Utilisé habituellement comme couche ahti-scratch sur les CMOS • Si-RichN, l’excès de Si donne une couche résistive • Déposé PECVD à T < 300 °C 7 μm Si3N4 Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  14. TimePix + 7 μm Si3N4 + InGrid Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

  15. TimePix + 7 μm Si3N4 + InGrid Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008

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