1 / 14

ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის

ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის მოხსენება თემაზე: ,,ინტეგრალური მიკროსქემების ელემენტების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის დამუშავება’’ ხელმძღვანელი: ასოცირებული პროფესორი ამირან ბიბილაშვილი თბილისი 2013.

jorryn
Download Presentation

ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის მოხსენება თემაზე: ,,ინტეგრალური მიკროსქემების ელემენტების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის დამუშავება’’ ხელმძღვანელი: ასოცირებული პროფესორი ამირან ბიბილაშვილი თბილისი 2013

  2. ნანოელექტრონული ხელსაწყოები • ერთელექტრონიანი ტრანზისტორი • რეზონანსული ტრანზისტორი • დიდი ინტეგრაცია • მცირე სიმძლავრე • დიელექტრიკი ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  3. zeTxeli (5-50 nm); • dididieleqtrikuliSeRwevadobiT, • kulonuriblokadisZabvisdabalimniSvnelobiთ • uwyveti; • udefeqto, minarevebisgareSe • garefaqtorebismimarTstabiluri. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  4. მაღალი ტემპერატურა (900÷11000C) • არასასურველი მინარევების დიფუზია • ფორიანობის გაზრდა • დიფუზიური პროფილის განრთხმა • საფენთან ადგეზიის გაუარესება ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  5. დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია (300÷4000C) • მიღებული ფირები არ შეიცავენ მინარევებს • ოქსიდების ზედაპირი არის დაცული იონების ბომბარდირებისაგან • მიიღება მაღალი ხარისხის ფიზიკური და ქიმიური თვისებების დიელექტრიკი • მშრალი პროცესი • ნიმუშის ზედაპირის პლაზმური გაწმენდის შესაძლებლობა • თხელი ფირების მიღება (5÷50ნმ) ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  6. 1-xufi; 2-anodi; 3-kaTodi; 4-samiznis kontaqti; 5-nimuSi; 6-plazmis damWeri; 7-Termowyvilis gamomyvanebi; 8-ultraiisferi dasxivebiswyaro; 9-nimuSis gamaxurebeli. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  7. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  8. კარგად შესწავლილი ფიზიკური და ქიმიური თვისებები • იაფი • მაღალი ხარისხის საკუთარი ჟანგი • მესერის პარამეტრების კარგი თანხვედრა • მიღებული ოქსიდის სისქეები (5÷50ნმ) ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  9. მეტალების თერმული დაფენა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  10. dasaJangimasaliszedapirzeiSviaTmiwaTaelementis (Y) Txeli fenის ელექტრონულ-სხივური დაფენა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  11. პლაზმური ანოდირება ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  12. Y-ის ქიმიური მოხსნა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  13. უნდა შეირჩეს ორმაგი ზეთხელი ოქსიდური ფირები, მაგალითად SiO2დაSiOxNy(Ɛ~ 4 – 7) პატარა Ɛ-ით; HfO2, TiO2, SiHfOდაSiTiO (Ɛ ~25-30) დიდიƐ-ით;და მათი თანაფარდობები სისქის მიხედვით ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

  14. მადლობა ყურადღებისთვის

More Related