140 likes | 368 Views
ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის მოხსენება თემაზე: ,,ინტეგრალური მიკროსქემების ელემენტების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის დამუშავება’’ ხელმძღვანელი: ასოცირებული პროფესორი ამირან ბიბილაშვილი თბილისი 2013.
E N D
ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის მოხსენება თემაზე: ,,ინტეგრალური მიკროსქემების ელემენტების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის დამუშავება’’ ხელმძღვანელი: ასოცირებული პროფესორი ამირან ბიბილაშვილი თბილისი 2013
ნანოელექტრონული ხელსაწყოები • ერთელექტრონიანი ტრანზისტორი • რეზონანსული ტრანზისტორი • დიდი ინტეგრაცია • მცირე სიმძლავრე • დიელექტრიკი ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
zeTxeli (5-50 nm); • dididieleqtrikuliSeRwevadobiT, • kulonuriblokadisZabvisdabalimniSvnelobiთ • uwyveti; • udefeqto, minarevebisgareSe • garefaqtorebismimarTstabiluri. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
მაღალი ტემპერატურა (900÷11000C) • არასასურველი მინარევების დიფუზია • ფორიანობის გაზრდა • დიფუზიური პროფილის განრთხმა • საფენთან ადგეზიის გაუარესება ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია (300÷4000C) • მიღებული ფირები არ შეიცავენ მინარევებს • ოქსიდების ზედაპირი არის დაცული იონების ბომბარდირებისაგან • მიიღება მაღალი ხარისხის ფიზიკური და ქიმიური თვისებების დიელექტრიკი • მშრალი პროცესი • ნიმუშის ზედაპირის პლაზმური გაწმენდის შესაძლებლობა • თხელი ფირების მიღება (5÷50ნმ) ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
1-xufi; 2-anodi; 3-kaTodi; 4-samiznis kontaqti; 5-nimuSi; 6-plazmis damWeri; 7-Termowyvilis gamomyvanebi; 8-ultraiisferi dasxivebiswyaro; 9-nimuSis gamaxurebeli. ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
კარგად შესწავლილი ფიზიკური და ქიმიური თვისებები • იაფი • მაღალი ხარისხის საკუთარი ჟანგი • მესერის პარამეტრების კარგი თანხვედრა • მიღებული ოქსიდის სისქეები (5÷50ნმ) ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
მეტალების თერმული დაფენა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
dasaJangimasaliszedapirzeiSviaTmiwaTaelementis (Y) Txeli fenის ელექტრონულ-სხივური დაფენა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
პლაზმური ანოდირება ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
Y-ის ქიმიური მოხსნა ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
უნდა შეირჩეს ორმაგი ზეთხელი ოქსიდური ფირები, მაგალითად SiO2დაSiOxNy(Ɛ~ 4 – 7) პატარა Ɛ-ით; HfO2, TiO2, SiHfOდაSiTiO (Ɛ ~25-30) დიდიƐ-ით;და მათი თანაფარდობები სისქის მიხედვით ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013
მადლობა ყურადღებისთვის