T.C.
Download
1 / 36

T.C. DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ - PowerPoint PPT Presentation


  • 242 Views
  • Uploaded on

T.C. DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI. FOTONİK 15. BÖLÜM PHOTONS IN SEMICONDUCTORS YARI İLETKENLERDEKİ FOTONLAR HASAN KORKMAZ 800712010001. YARIİLETKENLER. Enerji Bantları ve Yük Taşıyıcıları

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' T.C. DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ' - jorden-zimmerman


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

T.C.

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ

FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI

FOTONİK

15. BÖLÜM

PHOTONS IN SEMICONDUCTORS

YARI İLETKENLERDEKİ FOTONLAR

HASAN KORKMAZ

800712010001


Yari letkenler
YARIİLETKENLER

  • Enerji Bantları ve Yük Taşıyıcıları

    (Energy Bands and Charge Carriers)

    B. Yarıiletken Malzemeler

    (Semiconducting Materials)

    C. Elektron ve Hole Konsantrasyonları

    (Electron and Hole Concentrations)

    D. Üretim , Tekrar Birleşme, Püskürtme (içeri atma)

    (Genereation, Recombination and Injection)


B t n yar iletken optoelektronik ayg tlarda temel al ma prensibini iki proses olu turmaktad r
Bütün yarıiletken optoelektronik aygıtlarda temel çalışma prensibini iki proses oluşturmaktadır.

  • Fotonun absorbe edilmesi, elektron-hole çifti oluşturabilir.

    Taşınabilir yük taşıyıcıları, absorblamanın etkisiyle metalin elektriksel özelliklerini değiştirebilir. Bu etkiyle fotoiletkenlik, yarıiletken fotodedektörün çalışmasında etkilidirler.

  • Foton emisyonuyla elektron ve hole’lerin tekrar bağlanması sonuçlanabilir.

    Bu proses, yarıiletken ışık kaynaklarının çalışmasını sağlar. Kendiliğinden oluşan radyoaktif elektron-hole birleşmesi LED’de ışığın üretilmesini sağlar. Uyarılmış elektron-hole bağları yarıletken lazerin foton kaynağını oluşturur.


Yari letkenler1
YARIİLETKENLER çalışma prensibini iki proses oluşturmaktadır.

Yarıiletken, kristalimsi (crystalline) veya amorf katıdır (amorphous solid). Elektriksel iletkenliği iletken madde ile yalıtkan madde arasında bir özelliktedir. Elektronik aygıtlarda genellikle yarıiletken malzeme olarak silisyum veya galyum arsenid kullanılır.

ENERJİ BANTLARI VE YÜK TAŞIYICILARI

Her bir enerji bantı, çeşitli enerji seviyeleri içerir. Yarıiletkenlerde, iletim ve değerlik bantları arasında, elektron bulunma olasılığının sıfır olduğu yasak enerji düzeylerine bandgap enerji denir. Yarıiletkenler enerji boşluğu 0.1 ile 3 eV arasında değişmektedir.


Conduction Band: çalışma prensibini iki proses oluşturmaktadır.İletim Bandı

Valence Band: Değerlik(valans) Bandı


ENERJİ SEVİYELERİ çalışma prensibini iki proses oluşturmaktadır.

Hareket halinde olması nedeniyle her yörünge üzerindeki elektronlar belirli bir

enerjiye sahiptir.

Eğer herhangi bir yolla elektronlara, sahip olduğu enerjinin üzerinde bir enerji uygulanırsa, ara yörüngedeki elektron bir üst yörüngeye geçer.

Valans elektrona uygulanan enerji ile de elektron atomu terk eder.

Valans elektronun serbest hale geçmesi, o maddenin iletkenlik kazanması demektir.

Valans elektronlara enerji veren etkenler:

1) Elektriksel etki

2) Isı etkisi

3) Işık etkisi

4) Elektronlar kanalıyla yapılan bombardıman etkisi

5) Manyetik etki


  • Ancak, valans elektronları serbest hale geçirecek enerji seviyeleri madde

  • yapısına göre şöyle değişmektedir:

  • İletkenler için düşük seviyeli bir enerji yeterlidir.

  • Yarı iletkenlerde oldukça fazla enerji gereklidir.

  • Yalıtkanlar için çok büyük enerji verilmelidir.

  • BANT YAPILARI

  • Maddelerin iletkenlik dereceleri, en iyi şekilde, aşağıda açıklandığı gibi, bant

  • enerjileri ile tanımlanır.

  • Valans bandı enerji seviyesi:

  • Her maddenin, valans elektronlarının belirli bir enerji seviyesi vardır. Buna valans bandı enerjisi denmektedir.

  • İletkenlik bandı enerji seviyesi:

  • Valans elektronu atomdan ayırabilmek için verilmesi gereken bir enerji vardır. Bu

  • enerji, iletkenlik bandı enerjisi olarak tanımlanır.


İletkenlerde iletim için verilmesi gereken enerji: seviyeleri madde

İletkenlerin, valans bandı enerji seviyesi ile iletkenlik bandı enerji seviyesi bitişiktir. Bu nedenle verilen küçük bir enerjiyle, pek çok valans elektron serbest hale geçer.

Yarı iletkenlerde iletim için verilmesi gereken enerji:

Yarı iletkenlerin valans bandı ile iletkenlik bandı arasında belirli bir boşluk bandı bulunmaktadır. Yarı iletkeni, iletken hale geçirebilmek için valans elektronlarına, boşluk bandınınki kadar ek enerji vermek gerekir.

Yalıtkanlarda iletim için verilmesi gereken enerji:

Yalıtkanlarda ise, oldukça geniş bir boşluk bandı bulunmaktadır. Yani elektronları, valans bandından iletkenlik bandına geçirebilmek için oldukça büyük bir enerji verilmesi gerekmektedir.


ENERJİ-MOMENT İLİŞKİSİ seviyeleri madde

İletim bandı içindeki elektronlar ve değerlik(valans) bandı içindeki hole ler.


EFEKTİF KÜTLE seviyeleri madde


Direk ve Dolaylı Boşluk Yarıiletkenler seviyeleri madde

Direct-Gap: Maksimum valans bandı ve minimum iletkenlik bandı aynı momente sahiptir.

Indirect-Gap: Elektronların momenti, valans bandının üst değeri ile iletkenlik bandının alt değeri arasında değişir.


  • YARIİLETKEN MATERYALLER seviyeleri madde

  • Elemental Yarıiletkenler

  • Periyodik tabloda 4. grupta yer alırlar. Si ve Ge en öenmlileridir. Foto dedektörlerde geniş bir kullanım alanına sahiptir. Entegre devrelerde en çok Si kullanılmaktadır.

  • İkili (binary) Yarıiletkenler

  • Periyodik tabloda 3. grupta yer alan Al(alüminyum), Ga(galyum), In(indiyum) … ve Tabloda 5. grupta bulunan P(fosfor), As(arsenik),Sb(antimon) gibi yarıiletkenler bu grupta sayılır.


  • Üçlü (ternary) Yarıiletkenler seviyeleri madde

  • Periyodik tabloda 3. grupta bulunan 2 element ve 5. grupta bulunan 1 element üçlü yapıyı oluştururlar.

  • Dörtlü (quaternary) Yarıiletkenler

  • Periyodik tabloda 3. grupta bulunan 2 element ve 5. grupta bulunan 2 element dörtlü yapıyı oluştururlar.


3. Grup = Al-Ga-In (alüminyum – galyum – Indiyum) seviyeleri madde

5. Grup= P-As-Sb (fosfor – arsenik – antimon)


Katkılı Yarıiletkenler (Doped Semiconductors) seviyeleri madde

Yarıiletkenlerin, elektrik ve optik özellikleri özel seçilmiş katkılarla değiştirilebilir. Böylelikle yarıiletken içindeki taşınabilir (mobil) yük taşıyıcıları konsantresi-derişimi değişir.

N tip yarıiletken= Değerlik (valans) elektronların, katkılarla normal atom oranları küçük bir oranda yer değiştirebilir. Bu atomlar 5.grup atomlardan, 4 veya 6. grup atomlarla yer değiştirirler.

P tip yarıiletken= Bu tip yarıiletkenlerde de valans (değerlik) elektronlarda boşluklar ve katkılar kullanılabilir. Bunlara akseptörler (acceptors) denir. Bunun sonucunda da yapıdaki hole’ler üstünlük sağlar. 4. gruptaki atomlar, 3. gruptaki atomlarla yer değiştirir veya 3. gruptaki atomlar 2. gruptakilerle yer değiştirir.

Katkısız Yarıiletkenler, intrinsic materyaller olarak;

Katkılı yarıiletkenler, extrinsic materyaller olarak adlandırılır.


  • ELEKTRON VE HOLE KONSANTRASYONLARI seviyeleri madde

  • Elektron ve Hole Konsantrasyonunu belirlemek için aşağıdaki bilgilere ihtiyaç vardır.

  • İzin verilen enerji seviyesinin yoğunluğu (durum yoğunluğu)

  • Bu her bir enerji seviyelerinin doldurulma olasılığı

  • DENSITY OF STATES (YARIİLETKENLERDE DURUM(HAL) YOĞUNLUĞU)

  • E= Yarıiletken içindeki elektronların kuantum enerjisi

  • k= dalga vektörü

  • İletim bandına yakın olan elektronun kütlesi mc ile gösterilmekte ve 3 boyutlu kübik (boyutu d olan) bir yapı içindedir.

  • Kübik hücrenin boyutu  / d ‘ dir.

  • k=(kx,ky.kz)

  • k=(q1/d , q2/d , q3/d )



PROBABILITY OF OCCUPANCY seviyeleri madde

(YARIİLETKENLERDE DOLGU DERECESİNİN OLASILIĞI)

T= 0 0K ‘de bütün elektronlar en düşük enerji seviyesindedirler. Bu Pauli’nin yoksun bırakma ilkesidir.

Sıcaklık giderek arttığında valans(değerlik) bandı enerjisi artmakta, iletim bandı enerji seviyesi ise tamamıyla boşalmakta, hiç elektron içermemektedir.

Sıcaklık arttığında dolayısı ile termal uyarımdaki bazı elektronlar, valans (değerlik) bandından iletim bandına yükselmektedir. Valans (değerlik) bandı içindeki hole’ ler de ayrılmaktadır.


T= seviyeleri maddeTermal Denge Sıcaklığı

E=0 0K Sıcaklıktaki Enerji

Elektronun durumu Fermi fonksiyonu ile açıklanmaktadır.

kB=Boltzman Sabiti (T=300 0K , kB.T=0,026 ev)

Ef= Fermi enerjisi veya fermi seviyesi

Ayrıca bu fonkisyon Fermi-Dirac Dağılım olarak bilinmektedir.

f(E)= Elektronlar tarafından sağlanan yarıiletkenlerdeki dolgu derecesi olasılığı

1-f(E)= Hole’ler tarafından sağlanan yarıiletkenlerdeki dolgu derecesi olasılığı


THERMAL-EQUILIBRIUM CARRIER CONCENTRATIONS seviyeleri madde

(TERMAL-DENDE TAŞIYICI KONSANTRASYONLARI)

Herhangi bir sıcaklıktaki, intrinsic yarıiletkenlerde n=p’ dir. Çünkü termal uyarım, daima elektron-hole çiftleri yaratmaktadır.

Fermi seviyesi, bu nedenden dolayı n=p ‘deki enerji seviyesine dönüştürülmektedir.

Eğer mv=mc ise n(E) ve p(E) fonksiyonları simetriktir. Böylece Ef , n(E) ve p(E)’nin ortasında yani bandgap’in (iletim ve valans bandları arasındaki bant aralığı) ortasında bulunmaktadır.


Elektron ve Hole’lerin fermi fonksiyonları ve denge konsantrasyonları n-tip ve p-tip katkılı yarı iletkenler için, enerji-band diyagramları şekil 15.1-10 ve 15.1-11 ‘ de gösterilmektedir.

Donör (verici) elektronlar, ED enerji seviyesini doldururlar. İletim bandının alt kısmında yer alırlar. Eğer ED=0,01 eV ise örneğin oda sıcaklığında (kB.T=0,026 ev) birçok donör elektronlar termal uyarımla iletim bandı içine girerler. Bunun sonucunda Fermi seviyesi (f [Ef] = ½ ), bant aralığının ortasının üstündedir.


p tip yarıiletkenler için alıcı (acceptor) enerji seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.


LAW OF MASS ACTİON seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.

(KÜTLE ETKİNLİĞİ YASASI)

Band boşluğu (bandgap) içindeki Fermi seviyesinin bağımsız olarak yer değiştirmesi ve yarıiletken katkı seviyesi, fermi fonksiyonunda exponansiyel bir yaklaşım sağlar. Bu kütle etkinliği yasası olarka adlandırılır. Intrinsic yarıiletkenler için n=p=ni ‘dir.

Elektron ve hole’lerin intrinsic yoğunlukları, sıcaklık ile exponansiyel olarak artar. Kütle etkinliği yasasıyla ;

olarak yazılabilir.


GENERATION, RECOMBINATIONS AND INJECTION seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.

(Üretim , Tekrar Birleşme, Püskürtme (içeri atma))

Generation and Recombination in Thermal Equilibrium

(Üretim ve Termal Denge İçindeki Tekrar Birleşme)

Valans(değerlik) bandından iletim bandına doğru, elektronların termik uyarımı, elektron-hole çiftlerinin üretimi ile sonuçlanır.

Termik denge, eşzamanlı zıt prosesin tekrar uyarımı ile üretim gerçekleşmektedir. Bu aşama elektron-hole tekrar birleşmesi olarak adlandırılır.

İletim bandındaki elektron koptuğunda, valans(değerlik) bandındaki hole’ ü doldurur.


Radiative Recombination= seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir. Elektronlar ile serbest kalan enerji foton yayılımı şekline geçer. Bu sürece yayılıcı tekrar birleştirme denir.

Nonradiative Recombination= Çok sayıda farklı metotlar aracılığı ile oluşmaktadır. Enerjinin transferi kafeslerin titreşiminden (bir yada daha fazla foton) veya başka serbest elektrondan elde edilir.

Bazen birleşme hatalar nedeniyle bandaralığı arasında olur. Bu bozuk birleşme yada şebeke hatası olarak ilişkilendirilebilir.


Electron-Hole Injection seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.

Termal denge içindeki yarıiletken taşıyıcı yoğunlukları ile eşit miktarlarda n0 ve p0 üretimine ve tekrar birleşme oranına sahiptir.

Aşırı Taşıyıcı Tekrar Birleşme Ömrü

n tip  n0 >> p0 tekrar birleşme ömrü

p tip  p0 >> n0 tekrar birleşme ömrü


INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.

(Dahili(iç) Kuantum Verimi)

İç kuantum verimi i yarıiletken malzemelerde elektron-hole yayılıcı tekrar birleştirme oranının, toplam yayılıcı tekrar birleşme oranına bölünmesiyle bulunur. Bu parametre önemlidir. Çünkü yarıiletkenlerde ışık üretim verimini (efficiency of light generation) belirlemede yol gösterir.

r= radiative recombination lifetime

nr= nonradiative recombination lifetime

i= internal quantum efficiency


TEŞEKKÜRLER !!! seviyesi (EA), değerlik (valans) bant kenarının hemen üstünde yer alır. Bunun sonucunda Fermi seviyesi bant aralığının hemen altındadır. Bizim için önemli olan katkılı yarıiletken içindeki mobil taşıyıcıların yönetilebilmesidir.


ad