射極電流擁擠效應
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 5

射極電流擁擠效應 PowerPoint PPT Presentation


  • 120 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

射極電流擁擠效應. 授課老師 : 鄒文正 老師 學生 : 董冠璋 學號 : M99L0225. Outline. 形成原因 造成之影響 改善方法 參考文獻. 形成原因. 由於 HBT 垂直式結構,使基極電流橫向流入射極,基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差,使得基 - 射極接面的電場分布不均,而使電流由射極周圍向中心遞減,因此引起射極電流聚集在邊緣,此現象稱為射極群聚現象 (Emitter crowding) 。. 參考文獻. [1] 〝 半導體元件物理與製程技術 〞 施敏著 [2] 〝 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究 〞 徐慧芬.

Download Presentation

射極電流擁擠效應

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


6648484

射極電流擁擠效應

授課老師:鄒文正 老師

學生:董冠璋

學號:M99L0225


Outline

Outline

  • 形成原因

  • 造成之影響

  • 改善方法

  • 參考文獻


6648484

形成原因

由於HBT垂直式結構,使基極電流橫向流入射極,基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差,使得基-射極接面的電場分布不均,而使電流由射極周圍向中心遞減,因此引起射極電流聚集在邊緣,此現象稱為射極群聚現象(Emittercrowding)。


6648484

參考文獻

  • [1]〝半導體元件物理與製程技術〞施敏著

  • [2] 〝VBIC模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究〞 徐慧芬


6648484

END


  • Login