双极型：有两种极性的载流子参与导电（ BJT)

1. 结束放映 首页目录 §2-1 BJT的结构和工作原理 双极型：有两种极性的载流子参与导电（BJT) 三极管 单极型：只有一种极性的载流子参与导电（FET) 一、 BJT的结构和符号 二、 BJT的放大偏置 三、大偏置时BJT内部载流子的传输过程 四、大偏置时BJT各极电流的分配关系 五、BJT的穿透电流ICEO 六、BJT的结偏置电压与各极电流的关系 七、BJT的截止和饱和工作状态 八、BJT的三种基本组态

2. 结束放映 首页目录 一、 BJT的结构和符号 1、BJT的类型 按工作频率分：高频管、低频管 按功率分：小、中、大功率管 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型

3. 发射结 集电结 结束放映 首页目录 一、 BJT的结构和符号 • BJT由两个PN结和三个电极构成，有两种基本类型: NPN型和PNP型。 1、NPN型 2、PNP型 发射区 集电区 + + 发射极 集电极 基区 基极 箭头方向表示电流的实际方向 注意区分两者的符号 NPN管比PNP管应用更广泛，特别在一般的半导体集成电路中，NPN管性能优于PNP管，故重点讨论NPN管。

4. 管芯结构剖面图 结束放映 首页目录 一、 BJT的结构和符号 • 结构特点： ——是BJT具有电流放大作用的内部因素。 （1）发射区的掺杂浓度最高； （2）基区很薄，一般在几微米至几十微米，且掺杂 浓度最低; （3）集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大. + 发射区 基区 集电区

5. c c c c + ib iC + + ib b iC + P N UCE b UBE UCE ie - - b b P N UBE ie - - e N P e e e 首页目录 结束放映 二、BJT的放大偏置 —是BJT具有电流放大作用的外部因素。 1、什么叫放大偏置？ 放大偏置——“发射结正偏、集电结反偏”。 2、放大偏置时BJT三个电极电位之间的关系： 识别管脚和判断管型的依据

6. -11.5V 0.1V 0.78V 结束放映 首页目录 例题：测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示：试判断该管管脚对应的电极，该管的类型及材料。 B C E 1、基极电位UB居中（可识别基极）； 2、发射结压降: |UBE| = 0.7（0.6）V （硅管） |UBE|= 0.2（0.3）V （锗管） 可识别发射极——集电极；判断管子的材料； 3、NPN管各极的电位关系：UC>UB>UE； 可识别管子的类型（NPN/PNP）。 PNP管各极的电位关系：UC<UB<UE； 该管为PNP型硅管。

7. 3.2V 7.5V 3.9V 结束放映 首页目录 例题：测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示：试判断该管管脚对应的电极，该管的类型及材料。 C E B 1、基极电位UB居中（可识别基极）； 2、发射结压降: |UBE| = 0.7（0.6）V （硅管） |UBE|= 0.2（0.3）V （锗管） 可识别发射极——集电极；判断管子的材料； 3、NPN管各极的电位关系：UC>UB>UE； 可识别管子的类型（NPN/PNP）。 PNP管各极的电位关系：UC<UB<UE； NPN型硅管。

8. c iC iB c RC RC b b e Rb EC Rb iE EC EB EB e 首页目录 结束放映 三、放大偏置时BJT内部载流子的传输过程 给NPN型BJT加适当的偏置：发射结正偏，集电结反偏。

9. iC c RC N b iB iB1 浓度差 Rb 扩散 P EC 复合 EB e iE N 首页目录 结束放映 （1）发射区向基区注入电子 iEn E区电子经BE结扩散注入B区 BE结正偏 iEP B区空穴扩散注入E区 iCP iCn1 iE=iEn+iEP iEn iCn2 (正偏发射结的正向电流) （2）电子在基区的扩散和复合 iEn （绝大部分） CB结附近 iB1(很小) 与基区空穴复合(少) iEn iEP iB1是基极电流的主要部分。 （3）集电极收集发射区扩散过来的电子 iCn1 BC结反偏 电子漂移过BC结进入C区 iCn2 B区电子漂移过BC结进入C区 ICBO= iCn2+iCP iCP C区空穴漂移过BC结进入B区 ICBO---集电结反向饱和电流，受温度影响大，应尽量减小。 iC= iCn1+ICBO； iB= iB1+iEP-ICBO

10. 结束放映 首页目录 四、放大偏置时BJT各极电流的分配关系： 1、各极电流的组成： iE=iEn+iEP iEn； iC=iCn1+ICBOiCn1 ； iB=iB1+iEP-ICBO iE= iC+iB ； 2、各极电流的关系： ①iE 与iC的关系： 对于给定的晶体管，集电极收集的电子流是发射极发射的电子流的一部分，两者的比值在一定的电流范围内是一个常数，用

11. 结束放映 首页目录 四、放大偏置时BJT各极电流的分配关系： 1、各极电流的组成： iE=iEn+iEP iEn； iC=iCn1+ICBOiCn1 ； iB=iB1+iEP-ICBO iE= iC+iB ； 2、各极电流的关系： ②iC 与iB的关系： 定义： ——共射直流电流放大倍数 说明： （1）BJT具有电流放大作用； （2） iC受iB控制，称BJT为电流控制器件。

12. c c + ib iC + + iB b iC + UCE b UBE UCE ie - - UBE iE - - e e 四、放大偏置时BJT各极电流的分配关系： 1、各极电流的组成： iE=iEn+iEP iEn； iC=iCn1+ICBOiCn1 ； iB=iB1+iEP-ICBO iE= iC+iB ； 2、各极电流的关系： BJT中iC和iB方向一致， iE方向与前者相异， iC和iE近似相等。 基本上为常数，放大偏置的BJT中iE、iC和iB近似成比例关系。

13. 五、BJT的穿透电流ICEO IC IB ICEO= （1+）ICBO 结束放映 首页目录 ——基极开路，流过BJT集－射极间的电流。

14. 六、BJT的结偏置电压与各极电流的关系 uCB iC iB c uBE RC b e Rb EC iE EB 首页目录 结束放映 1、发射结正偏电压uBE对各极电流的作用——正向控制作用。 发射极电流实际上是正偏发射结的正向电流： BJT各个电极的电流iE 、iC 、iB与发射结正偏电压uBE都是指数关系。

15. 集电结 发射结 基区 集电区 发射区 结束放映 首页目录 2、集电结反向电压uCB对各极电流的影响——基区宽调效应。  集电结宽度  基区有效宽度  空穴复合机会 这种由集电结反偏电压变化引起基区宽度变化，从而影响各极电流的现象称为基区宽度调制效应，简称基区宽调效应或厄利（Early）效应。

16. c c b b e e 结束放映 首页目录 七、BJT的截止和饱和工作状态 1、截止状态： 发射结和集电结都反偏 晶体管的电流只有反向饱和电流成分。 忽略反向饱和电流，则截止状态下的晶体管各极电流等于0，其等效模型为： 2、饱和状态： 发射结和集电结都正偏 正偏PN结的导通电压较小，在大信号状态下可以忽略，其等效模型为： 3、BJT的结偏置情况与工作状态的关系 （1）放大状态： 发射结正偏；集电结反偏 （2）截止状态： 发射结和集电结都反偏 判断BJT的工作状态 （3）饱和状态： 发射结和集电结都正偏 发射结反偏；集电结正偏 （4）倒置状态：

17. 0 -3 0.7 1.1 -3 -0.3 0 1.3 -2.7 0 -3.5 1 硅管 锗管 硅管 锗管 首页目录 结束放映 练习：测得晶体管无信号输入时，各个电极对“地”电压如下：判断管子工作状态（放大、截止、饱和、倒置、损坏） （a） 发射结反偏，集电结反偏， 截止状态。 （b） 发射结正偏，集电结反偏， 放大状态。 （c） 发射结反偏，集电结正偏， 倒置状态。 （d） 发射结正偏，集电结正偏， 饱和状态。

18. -1.4 1.3 3.7 12 -2.8 1.2 1.8 2 1.5 1.5 -0.7 -3.5 硅管 锗管 锗管 硅管 结束放映 首页目录 练习：测得晶体管无信号输入时，各个电极对“地”电压如下：判断管子工作状态（放大、截止、饱和、倒置、损坏） （e） 发射结正偏，集电结反偏， 放大状态。 （f） 发射结正偏，集电结正偏， 饱和状态。 （g） 发射结正偏，集电结反偏， 放大状态。 （h） 发射结正偏，UBE0.7V， 损坏。

19. 结束放映 首页目录 • 八、BJT的三种基本组态： • •共射极组态，用CE表示； • •共基极组态，用CB表示； • •共集电极组态，用CC表示。