Laboratorio de Electrónica del Estado Sólido

1. Laboratorio deElectrónica del Estado Sólido Caracas - Venezuela

2. Laboratorio de Electrónica del Estado Sólido Ubicación: Se localiza en la planta baja del edificio del Laboratorio de Electrónica, en la sede del Valle de Sartenejas de la Universidad Simón Bolívar en el Municipio Baruta del Estado Miranda Apartado Postal 89000 Caracas 1080A, Venezuela Tlf: +58-212-9064010

3. ElLEESesunadependencia del Laboratorio de Electrónica(Lab. "C"), dentro de la estructuraorganizativa de la… Adscripción del LEES Susactividades de investigacióncorresponden a lasdel GRUPOde ELECTRÓNICA del ESTADO SÓLIDO registradoen el Decanato de Investigación y Desarrollo.

4. 33 años de HISTORIA Algunos recorridos: • Creado en 1979 como laboratorio de investigación y de apoyo a la docencia de Ingeniería Electrónica. • Inicialmente se orienta al desarrollo de procesos de fabricación de películas semiconductoras mediante impresión por pulverización pirolítica y por serigrafía, para su utilización en • dispositivos fotovoltaicos y sensores. • A finales de los ‘70 se incursiona en el estudio de las propiedades dieléctricas de tejidos biológicos y • materiales porosos. • A mediados de los ‘80 se inicia el desarrollo de modelos de dispositivos semiconductores y de métodos para • la extracción de sus parámetros. • A finales de los ‘90 se proponen métodos para medir y • reducir distorsión en transistores y C.I. • A comienzos del SXXI se amplían los trabajos • de modelación a dispositivos nanométricos.

5. Personal Académico: Giovanni De MercatoZolli, Dr. Eng.(gmercato@usb.ve) Francisco J. García Sánchez, Ph.D.(fgarcia@usb.ve) Juan Muci, M.Sc.(jmuci@usb.ve)Jefe del Grupo Adelmo A. Ortiz-Conde, Ph.D.(ortizc@usb.ve) Ramón Salazar, M.Sc.(actualmente realizando doctorado en Purdue U.) Personal • Investigadores Colaboradores • Ayudantes de investigación: • Estudiantes de Doctorado • Estudiantes de Maestría

6. Actividades Investigaciónbásica y aplicada Docencia en estudiosprofesionales y de postgrado(Maestría y Doctorado) Cooperacióninternacional Divulgación de conocimiento(Artículos y conferencias) Organización de eventosacadémicos Actividades editoriales Participación en comités técnicos Servicios y asesorías

7. Docencia El personal del LEES es responsable de asignaturasdel Departamento de Electrónica y Circuitoscorrespondientes al área de Electrónica del Estado Sólido, dentro de los planes de Estudios Profesionales, de Maestría en Ingeniería Electrónica, y del Doctorado en Ingeniería: • Electrónica de Estado Sólido • Dispositivos Semiconductores • Modelación de dispositivos • Tecnología microelectrónica • Dispositivos optoelectrónicos • Circuitos integrados lineales • Circuitos integrados digitales • Temas Especiales • Trabajo dirigido

8. Docencia Libro de texto:

9. Cooperación Internacional • Principales propósitos: • Realizar proyectos de investigación de frontera con tecnologías de punta. • Beneficiarse de programas internacionales. • Mantener nexos con expertos extranjeros. • Propiciar visitas de profesores y estudiantes. • Proyectar a nivel mundial las actividades del LEES y de la USB.

10. Cooperación Internacional Algunos ejemplos de convenios, acuerdos y proyectos: 1982- Formación en conversión de energía solar – Ass. of CaribbeanUniversitiesand ResearchInstitutesFoundation/UNESCO 1985- Desarrollo de procesos de fabricación de celdas solares, Programa Regional de Desarrollo Científico y Tecnológico, OEA. 1990 - "BRAMEXVEN” primer microprocesador latinoamericano, CNPq(Brasil), CONACYT (México), CONICIT(Venezuela) 1992- MOSFETmodeling and parameterextraction, Binational USA/VEN CooperationProgram(NSF/CONICIT) 1996- “Red MOST” - Modelación de MOSFETsSubmicrométricos, Proyecto ALFA de la Unión Europea. 2005 - “LABDILEIT” (Laboratorio de caracterización de dispositivos electrónicos a distancia a través de Internet),Proyecto ALFA de la Unión Europea. 2010 - Modelagem Analítica e Caracterização de Transistores SOI-MOS, Projeto de CooperaçãoProSUL, CNPq (Brasil).

11. Cooperación Internacional SEES,CINVESTAV-IPN, México • Dept Electrónica,INAOE, México • Dept Eng. Sist. Eletrônicos, Escola Politéc. Univ. de São Paulo, Brazil • DeptEletrôn., Centro Univ da FEI, São Bernardo do Campo, Brazil • ICTEAM, Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve,Belgium Deptde Ing E, E & A, Univ Rovira i Virgili, Catalunya, Spain • Dept de Física, Univ de les Illes Balears, Spain EE Dept, University of Vermont, USA • School of EE &CS,Univ of Central Florida, USA • Freescale Semiconductor (Motorola), USA Modeling & SimulationGroup,LUCENT Technologies, USA • Flash TDM,INTEL, USA • TechnologyDevelopment,INTERSIL, USA • R & D Div,Pro MOS Technologies Inc, Taiwan • TechnologyDevelopment,MoselVitelicInc, Taiwan • Powerchip Semiconductor Corporation, Hsinchu, Taiwan DeptElectronSc Technol,HuazhongUniv Sc & Technol, China Department of ISEE, Zhejiang University, Hangzhou, China Algunos nombres:

12. Dispositivos semiconductores: BJTs , Celdas fotovoltaicas, Díodos PIN Transistores de Efecto de Campo (FETs): Silicon-On-Insulator, Thin Film, Ultra ThinBody, MultiGate, Nano Wire, etc. Circuitos Integrados: Reducción de distorsión armónica en CI analógicos Propiedades dieléctricas de tejidos biológicos: Huesos largos y craneales Membrana meníngea duramadre Tomografía de Impedancia Eléctrica Caracterización eléctrica de materiales: Polímeros conductores Cerámicas y materiales porosos Investigación Principales líneas de

13. Divulgación de resultados Artículos recientes más relevantes: A Rigorous Classical Solution for the Drain Current of Doped Symmetric Double-Gate MOSFETs, A. Ortiz-Conde, F.J.García-Sánchez, IEEE Transactions on Electron Devices, In Press, 2012. A formula for the central potential’s maximum magnitude in arbitrarily doped symmetric double-gate MOSFETs,F.J.García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, Solid-State Electronics, In Press, 2012. An Explicit Multiexponential Model as an Alternative to Traditional Solar Cell Models With Series and Shunt Resistances, A. Ortiz-Conde, D. Lugo-Muñoz, F.J.García-Sánchez, IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 2, no. 3, pp. 261-268, 2012. An Explicit Analytic Compact Model for Nanocrystalline Zinc Oxide Thin-Film Transistors, F.J.García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 59, pp. 46-50, 2012. A continuous semi-empiric transfer characteristics model for surrounding gate undopedpolysiliconnanowireMOSFETs, F.J.García-Sánchez, A.D. Latorre-Rey, W. Liu, W.-C. Chen, H.-C. Lin, J.J.Liou, J. Muci, A. Ortiz-Conde, Solid-State Electronics, vol. 63, pp. 22-26, 2011. An explicit multi-exponential model for semiconductor junctions with series and shunt resistances, D. Lugo-Muñoz, J. Muci, A. Ortiz-Conde, F.J.García-Sánchez, M. de Souza, M.A. Pavanello, Microelectronics Reliability, vol. 51, pp. 2044–2048, 2011.

14. Divulgación Coferencias Simposios Minicoloquios Talleres Seminarios

15. Divulgación Conferencias recientes más relevantes dictadas por miembros del Grupo: Explicit lumped-parameter modeling of solar cells (IEEE-EDS Distinguished Lecture),F.J.García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology (SEMINATEC 2012), 12-13 April 2012, São Paulo, Brazil. A Succinct Overview of Microelectronics Evolution (Invited Lecture),F.J.García-Sánchez, Microelectronics Seminar, 11 April 2012, Centro UniversitariodaFEI, São Bernardo do Campo, São Paulo State, Brazil. Modeling and Characterization of Diodes (IEEE-EDS Distinguished Lecture),A. Ortiz-Conde, F.J.García-Sánchez, IEEE-EDS Region 9 Mini-colloquium, 13 March 2012, Playa del Carmen, Quintana Roo, México.

16. Organización de eventos ICCDCS IEEE International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems Technically co-sponsored by 1st:December1995, Caracas, Venezuela 2nd:March 1998, Margarita, Venezuela 3rd:March2000, Cancún, México 4th:April2002, Aruba 5th:November2004, DominicanRepublic 6th:April2006, Playa del Carmen, México 7th:April 2008, Cancún, México 8th:March 2012, Playa del Carmen, México 9th:April 2014, DominicanRepublic (Proceedingspublished in IEEE Xplore)

17. ActividadesProfesionales El LEES es la sede del: IEEE Venezuela Electron Devices / Circuits and Systems Societies Joint Chapter

18. ActividadesProfesionales Cargos actualmente desempeñados por miembros del grupo: Silicon Devices and Technology Area Editor of IEEE ElectronDevicesLetters,A. Ortiz-Conde L. A. Regional Editor of EDSNewsletter, F.J.García-Sánchez Chair of EDS/CAS Venezuela Chapter, A. Ortiz-Conde Member of EDSEducationCommittee, A. Ortiz-Conde Member of EDSMasters and PhDFellowshipCommittee,F.J.García-Sánchez

19. Fin de la presentación Grupo deElectrónica del Estado Sólido de la Universidad Simón Bolívar