SnS 薄膜的制备方法

1. SnS薄膜的制备方法

2. SnS的基本特性 SnS是p型半导体，性质稳定、无毒、环境友好、成本低、组成元素地壳含量丰富。它们具有特别高的吸收系数（SnS, >105 cm-1）以及合适的带宽（SnS, 1.3 eV）, 因而它们是一种极具有前途的太阳电池用半导体材料

3. 目前有关SnS半导体电池制备和性能报道的相对较少，已报道的性能与CdTe和CIGS类电池有相当大差距。目前针对的SnS的研究主要集中在合成方法的研究，涉及材料组成、相纯度调控等方面。SnS半导体电池的性能与SnS薄膜的质量密切相关。而SnS薄膜的光电性质受其制备方法的影响。目前有关SnS半导体电池制备和性能报道的相对较少，已报道的性能与CdTe和CIGS类电池有相当大差距。目前针对的SnS的研究主要集中在合成方法的研究，涉及材料组成、相纯度调控等方面。SnS半导体电池的性能与SnS薄膜的质量密切相关。而SnS薄膜的光电性质受其制备方法的影响。

4. SnS薄膜制作技术 • 方法一基于真空和热技术：射频溅射法、喷雾热分解法、 • 化学气相沉积（CVD）、原子 • 层沉积（ALD）等 • 需要真空、高温技术，应用有一定的限制。 • 方法二基于溶液的制作技术：化学浴沉积法（CBD） • SILAR方法 • (连续离子层吸附反应法) • 电化学沉积法（ECD) • 操作简单，条件温和

5. 电化学沉积方法（ECD） 优势：大面积沉积、价格低廉、强的靶向性、更精确的参数变化控制。

6. 因此，高质量的SnS膜可通过控制电流、电压、Sn/S、pH值、温度等来获得。因此，高质量的SnS膜可通过控制电流、电压、Sn/S、pH值、温度等来获得。

7. 参考文献 [1]B. Reeja-Jayan and A. Manthiram ,RSC Adv., 2013, 3, 5412–5421. [2] Brownson et al. Chem. Mater., Vol. 18, No. 26, 2006. [3]R. Mariappan et al. Optik 122 (2011) 2216– 2219. [4]N. Sato et al. Solar Energy Materials & Solar Cells 85 (2005) 153–165. [5]Medhat M et al, J Solid State Electrochem (2011) 15:683–688 [6] Marc Steichen et al,J. Phys. Chem. C 2013, 117, 4383−4393. [7] M. Ichimura et al. Thin Solid Films 361±362 (2000) 98±101. [8]S. Cheng et al. Thin Solid Films 500 (2006) 96– 100. [9]B. Subramanian et al. Materials Chemistry and Physics 71 (2001) 40–4

8. 谢谢！