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電界効果トランジスタの静特性

電界効果トランジスタの静特性. D ： ドレイン. G ： ゲート. D ： ドレイン. S ： ソース. G ： ゲート. S ： ソース. P チャンネル JFET ：接合型 FET. N チャンネル JFET ：接合型 FET. FET(Field Effective Transistor) とは. 電圧制御型の能動素子 (V GS により I D を制御する ). N チャンネル JFET. V DS : ソース・ドレイン間電圧 V GS : ゲート電圧. 空乏層の成長. V GS ≦0 （逆方向電圧）. G. S. D.

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電界効果トランジスタの静特性

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Presentation Transcript

  1. 電界効果トランジスタの静特性 D：ドレイン G：ゲート D：ドレイン S：ソース G：ゲート S：ソース PチャンネルJFET：接合型FET NチャンネルJFET：接合型FET FET(Field Effective Transistor)とは 電圧制御型の能動素子 (VGSによりIDを制御する) 電気電子工学科基礎実験

  2. NチャンネルJFET VDS:ソース・ドレイン間電圧 VGS:ゲート電圧 空乏層の成長 VGS≦0 （逆方向電圧） G S D VDS≧0 （逆方向電圧） P N ID：ドレイン電流 P ピンチオフってなに？ チャネル 電気電子工学科基礎実験

  3. JFET静特性の測定回路 ID A R4 D R1 VDS V2 G S VGS V1 E2 R2 E1 VDS, ID ：可動コイル型 VGS ：マルチメータ 電気電子工学科基礎実験

  4. 静特性第１象限 E2で設定 ID VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 VDS VGS E1を可変 0 VGSをパラメータとして VDS‐ID特性を測定 電気電子工学科基礎実験

  5. 静特性第2象限 ID VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 VDS VGS -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 VDS VDSの時の VGS－ID特性 0 電気電子工学科基礎実験

  6. 出力抵抗と相互コンダクタンス VGS=0 VGS=-0.4 ID VGS=-0.8 伝達特性 出力特性 出力電流 VGS=-1.2 相互コンダクタンス VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 出力抵抗 電流 VDS VGS 電圧 VDS 出力電圧 入力電圧 0 電気電子工学科基礎実験

  7. 動作点 VGS=0 12V 直流負荷直線 VGS=-0.4 R4 ID VGS=-0.8 ID 動作点 ID ID VGS=-1.2 ID VGS=-1.6 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 VDS VDS VDS VDS VDS 12V VGS VGS= ‐1.0 （E2による） 0 VGSを0 ～ ‐2.4 のように 変化させると 電気電子工学科基礎実験

  8. 実験上の注意 • 静特性の測定 • VGS は負の電圧 • VGS=0のときは、ゲート・ソース間を短絡する • VDS が 12V 以上になるまでデータを取る。 　　（動特性の測定時の電源電圧が１２Vのため） • データの取得と同時にグラフにプロット 　　なぜか　＝＞＞　プロットから測定ミスに気がつく 　　なお、次回の波形観察時の動作点の決定にも使用 電気電子工学科基礎実験

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