1 / 10

Director de proiect: prof. Dr. Ing. Anton Manolescu Termen de predare: 15 decembrie 2007

Categoria de proiect: Proiecte de cercetare exploratorie (Programul IDEI) Cod proiect: 1046 „DISPOZITIVE ELECTRONICE ORGANICE – TRANZISTOARE SI ALTE DISPOZITIVE CU STRATURI SUBTIRI PE SUBSTRATURI FLEXIBILE. APLICATII IN DOMENIUL SENZORILOR OPTICI SI CHIMICI”.

florence-alexander
Download Presentation

Director de proiect: prof. Dr. Ing. Anton Manolescu Termen de predare: 15 decembrie 2007

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Categoria de proiect: Proiecte de cercetare exploratorie (Programul IDEI)Cod proiect: 1046„DISPOZITIVE ELECTRONICE ORGANICE – TRANZISTOARE SI ALTE DISPOZITIVE CU STRATURI SUBTIRI PE SUBSTRATURI FLEXIBILE. APLICATII IN DOMENIUL SENZORILOR OPTICI SI CHIMICI” Director de proiect: prof. Dr. Ing. Anton Manolescu Termen de predare: 15 decembrie 2007

  2. Faza 1 – Studiul performantelor dispozitivelor organice active • Analiza performantelor structurilor de test utilizand diferite topologii • Studiul rezistentei serie asupra caracteristicii dispozitivelor active • Studiul influentei dielectricului asupra caracteristicii dispozitivelor active

  3. Aplicatii ale dispozitivelor flexibile • ecranele flexibile cu diode emisive (LED) • panourile de celulele fotoelectrice flexibile • pielea sintetică cu senzori de temperatură şi presiune

  4. Substraturi pentru dispozitive flexibile • Sticlă ultra-subţire (grosimi mai mici de 0.4 microni), non-alcalină. • Folii metalice (oţeluri de crom, folii de titaniu, aluminiu, aliaje) • Plastice: PET (polietilentereftalat), PEN( polietilennaftalat), polietilentereftalat,  Kapton (poliimide marca DuPont), PC policarbonat, poliimide lichide PI5878G (HD Microsystems), folii transparente flexibile (Mylar) ce acţionează în acelaşi timp ca substrat şi dielectric de poartă, plastic (PET) laminat sau acoperit cu un strat metalic (Al), hidroxipropilceluloză legată de 1,4-diisocianobutan (BDI), poliesteri, sau poliimide cu fluor • Hârtie (cu strat protector de parilenă, de exemplu) • Textile (fibre de poliamidă acoperite cu argint ţesute după procedee tradiţionale urmată de tratarea galvanică sau electrochimică a acesteia) • Silicon flexibil

  5. Cerinţe ce trebuiesc satisfăcute de substraturile flexibile • Rezistenţă termică • Stabilitate dimensională • Impermeabilitate la gaze • Proprietăţi optice speciale (în cazul LED-urilor) • Netezimea suprafeţei • Rezistenţă la îndoire

  6. Măsurarea parametrilor semiconductorilor organici Poarta de Cr este acoperita cu un strat de planarizare din BCB (benzocilclobutena) peste care se aplica stratul de izolator (in figura, nitrura de  siliciu amorf). Contactele de sursa si drena de ITO se acopera cu stratul de semiconductor organic sau anorganic studiat.

  7. calculul mobilitatii efective a purtătorilor de sarcina în canalul din semiconductor • abatere de la linearitate a caracteristicilor de transfer ID=f(VGS) • g= nelinearitatea caracteristicii de transfer la tensiune VDS scăzuta. • g este dependent de densitatea de stări din semiconductor • pentru semiconductorii organici de tipul poli-9-9-dioctilfluoren-co-bitiofen utilizaţi in contstructia OLED-urilor, s-au găsit pentru g valori optime in intervalul 1,5-3, depinzând de gradul de polimerizare, greutatea moleculara şi vâscozitatea semiconductorului. • mobilitateaeste dependenta de asemenea de proprietăţile intrinseci ale polimerului, gradul de polimerizare, greutatea moleculară si vâscozitatea.

  8. rezistenţa de contact a sursei si drenei • in semiconductorii organici se observă adesea obţinerea unor contacte non-ohmice, caracterizate printr-o barieră Shottky prin care purtătorii trec prin efect tunel. • prin utilizarea unui model tip linie de transmisiuni (TLM) se poate extrage valoarea rezistenţei contactelor de sursa şi drena RS/D din caracteristica ID=f(VDS) în zona lineara • unde mint si VT int reprezintă mobilitatea şi tensiunea de prag a unui tranzistor TFT ideal, adică având RS/D = 0.

  9. rezistenţa parazită a sursei şi dreneise poate deduce din graficul WRON = f(L) prin scăderea rezistenţei canalului calculată din ecuaţia cu parametrii idealizaţi, din valoarea rezistentei totale. • rezultatele obţinute arata că rezistenţa de canal  şi rezistenta parazita S/D sunt independente de compoziţia semiconductorului, demonstrând efectul predominant al rezistenţei de contact asupra performanţelor tranzistorului. Chiar dacă mobilităţile în canal deduse anterior erau diferite de 1.5 ori, rezistenţa parazită a contactelor foarte mare (de ordinul a 108 Ohmi) maschează total această diferenţă.

  10. Concluzii • S-au studiat performantele structurilor de test la varierea topologiilor si s-au ales topologiile optime • S-a studiat influenta rezistentei serie asupra caracteristicilor dispozitivului • S-a studiat influenta dielectricului asupra caracteristicilor dispozitivului

More Related