1 / 25

СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 1. Всего 23. СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ. Автор Останин Б.П. Конец слайда. К. Вход. Б. Выход. Выход. Вход. Выход. Вход. Э. Включение с ОЭ. Включение с ОК. Включение с ОБ. С. Вход. Выход. Выход. З. Вход. Выход. И. Вход.

ethan-strickland
Download Presentation

СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 1. Всего23. СХЕМОТЕХНИКА УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ Автор Останин Б.П. Конец слайда

  2. К Вход Б Выход Выход Вход Выход Вход Э Включение с ОЭ Включение с ОК Включение с ОБ С Вход Выход Выход З Вход Выход И Вход Включение с ОИ Включение с ОС Включение с ОЗ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 2. Всего23. Способы включения транзисторов Включение биполярного транзистора структуры n-p-n Включение полевого транзистора с каналом n-типа Автор Останин Б.П. Конец слайда

  3. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 3. Всего23. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером Автор Останин Б.П. Конец слайда

  4. + + RБ1 RК RБ1 RК URК uВЫХ К К Б Б UП UП VT VT RН uВЫХ uКЭ Э Э uВХ uВХ RБ2 RБ2 Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 4. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  5. + UП IRБ1 RК RБ1 IК IВЫХ IБ iВХ= 0 VT RН UВЫХ = UКЭ RБ2 IRБ2 uВХ = 0 UБЭ IЭ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 5. Всего23. При отсутствии сигнала (iВХ = 0) в цепях усилительного каскада протекают только постоянные токи (IRБ1, IRБ2, IБ, IК, IЭ ), созданные источником питания UП. Эти токи вызывают постоянные напряжения на сопротивлениях каскада и между выводами транзистора (URБ1, URБ2, UБЭ, URК, UКЭ ).Такой режим называют режимом покоя. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  6. UП _ + IRБ1 RБ1 RК IК IВЫХ IБ iВХ= 0 VT RН UВЫХ = UКЭ IRБ2 RБ2 uВХ = 0 UБЭ IЭ + Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 6. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  7. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 7. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  8. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 8. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  9. IБ IK Точка насыщения IБ max UKБ=0 IБmax IK max IБ min IБmin IKmin IБ=0 0 0 UKЭ UБЭ UБЭ min UБЭ max UKЭmin UKЭmax UП Точка отсечки Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 9. Всего23. Входная и выходные характеристики б/п транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером Когда транзистор полностью открыт, его сопротивление очень мало (принимаем его равным нулю) Когда транзистор полностью закрыт, его сопротивление очень велико (принимаем его равным бесконечности) Автор Останин Б.П. Конец слайда

  10. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 10. Всего23. Классы усиления усилительных каскадов В зависимости от значения и знака напряжения смещения UСМ и напряжения сигнала uCв схеме транзисторного каскада возможно несколько принципиально различных режимов его работы. Эти режимы называют классами усиления. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  11. + UП iRБ1 RК RБ1 iК iВЫХ iВХ iБ VT uВЫХ = uКЭ uВХ = uБЭ iRБ2 RБ2 iЭ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего23. Класс А В этом режиме ток протекает в течение всего периода. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  12. iБ IБ max Т.П. IБ П t IБ min 0 uБЭ UБЭ П UБЭ max UБЭ min t Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего23. Класс А Автор Останин Б.П. Конец слайда

  13. IK IБmax IK max IБП Т.П. t 0 UKЭ UП IБmin IKmin UKЭmin UKЭmax t Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 11. Всего23. Класс А Автор Останин Б.П. Конец слайда

  14. UП _ + IRБ1 RБ1 RК IК iВЫХ IБ iВХ VT uВЫХ = uКЭ IRБ2 RБ2 uВХ = uБЭ IЭ Мощность, рассеиваемая в транзисторе - Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 12. Всего23. Класс А В этом режиме ток протекает в течение всего периода. По найденным значениям IКП и IК maxдля известного значения h21Э определяют IБ П, IБ max, UБЭ П и UБЭ max. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  15. IБП2 t iБ IK t UП _ + IБ max IRБ1 RБ1 RК IК iВЫХ IБП2 IБmax IБ iВХ IK max IБП1 VT IКП 2 t t uВЫХ = uКЭ IБП1 IКП 1 IRБ2 RБ2 uВХ = uБЭ IЭ t 0 0 IБ min uБЭ UKЭ IБmin IKmin UБЭ max UБЭ1 UБЭ2 UКЭП 2 UКЭП 1 UKЭmin UKЭmax UП UБЭ min t t t Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 13. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  16. iБ IK UП _ + IБ max IRБ1 RБ1 RК IК iВЫХ IБП2 IБmax IБ iВХ IK max t VT IБП2 IКП 2 uВЫХ = uКЭ IRБ2 RБ2 uВХ = uБЭ t IЭ 0 0 IБ min uБЭ UKЭ IБmin IKmin UБЭ max UКЭП 2 UБЭ2 UKЭmin UKЭmax UП UБЭ min t t Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 14. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  17. IБmax Точка покоя режима класса В. Она же точка отсечки IK IБmin UKБ=0 Точка насыщения IБ=0 IK max IKmin 0 UKЭ UKЭmin UKЭmax UП Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 15. Всего23. Класс В В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины периода. Напряжение смещения равно нулю (UСМ = 0). При этом IКП = IКmin 0 и UКЭ П = UП - RКIКmin UП. Положительным являются хорошие энергетические показатели (теоретический КПД до 0,785). Недостатки 1. Усиливается только одна полуволна. 2. Большие нелинейные искажения (искажения типа «ступенька»). Автор Останин Б.П. Конец слайда

  18. _ + VT1 uВХ RН uВЫХ VT2 _ + Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 16. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  19. IK UKБ=0 Точка насыщения IK max IKmin Точка покоя класса АВ IБmax 0 UKЭ UKЭmin UKЭmax UП Точка отсечки IБmin IБ=0 Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 17. Всего23. Класс АВ В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода. Напряжение смещения равно или немного превышает UБЭ min. Хорошие энергетические показатели. Нет искажений типа «ступенька». Усиливается только одна полуволна. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  20. Процесс и классы усиления. ОЭ.. Слайд 18. Всего23. Класс С В этом режиме ток в выходной цепи транзистора протекает меньше половины периода. Напряжение смещения отрицательное. Транзистор больше половины периода находится в режиме отсечки. Усиливается только верхняя часть полуволны. Хорошие энергетические показатели (большой КПД). Большие нелинейные искажения. Широко применяется в мощных резонансных усилителях (в радиопередающих устройствах). Класс D Это ключевой режим. На выходе получается напряжение в виде прямоугольных импульсов. Напряжение смещения равно нулю или отрицательное. Входное напряжение должно принимать либо значение меньше UБЭmin либо больше UБЭmax. КПД близок к единице. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  21. Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 19. Всего23. КАК ПРОИЗВОДИТСЯ РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА ПОКАЗАНО НА СЛЕДУЮЩЕМ ПРИМЕРЕ Автор Останин Б.П. Конец слайда

  22. + RБ1 RК URК К Б UП VT RН uВЫХ Э uВХ RБ2 ТРАНЗИСТОР CК RБ h11Э RК RН h22Э uВХ uВЫХ h21ЭiБ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 20. Всего23. Схема замещения усилительного каскада ОЭ Автор Останин Б.П. Конец слайда

  23. ТРАНЗИСТОР CК RБ h11Э RК RН h22Э uВХ uВЫХ h21ЭiБ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 21. Всего23. На средних частотах ёмкостное сопротивление ХСК очень велико и в расчёт не принимается, так как ток в нём практически равен нулю. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  24. iБ h21ЭiБ ТРАНЗИСТОР RБ h11Э uВХ uВЫХ h21ЭiБ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 22. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

  25. iВХ iБ ТРАНЗИСТОР RБ h11Э RН RК uВХ uВЫХ h21ЭiБ Процесс и классы усиления. ОЭ. Слайд 23. Всего23. Автор Останин Б.П. Конец слайда

More Related