slide1
Download
Skip this Video
Download Presentation
Orbis pictus 21. století

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 16

Orbis pictus 21. století - PowerPoint PPT Presentation


  • 71 Views
  • Uploaded on

Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu. Orbis pictus 21. století. Orbis pictus 21. století. Princip tranzistorů I. Obor: Elektrikář Ročník : 1 . Vypracoval: Ing. Jiří Šebesta, Ph.D. Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' Orbis pictus 21. století' - elias


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1

Tato prezentace byla vytvořena

v rámci projektu

Orbis pictus

21. století

slide2

Orbis pictus 21. století

Princip tranzistorů I.

Obor: ElektrikářRočník: 1.Vypracoval:Ing. Jiří Šebesta, Ph.D.

Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky

slide3

Tranzistor je polovodičová součástka, jejíž hlavní funkcí je zesílení (napětí nebo proudu).

  • Základním typem tranzistoru je bipolární tranzistor sestávající ze tří polovodičových oblastí, buď N-P-N nebo P-N-P.
  • Každá z těchto oblastí má kovový kontakt – kolektor C, bázi B a emitor E.
slide4

Tranzistor obsahuje dva PN přechody jeden mezi bází a emitorem a druhý mezi bází a kolektorem.

  • Šířka prostřední oblasti (báze) je velmi malá, proto i krajní oblasti (emitor, kolektor) navzájem na sebe přes bázi působí.
  • Napájení tranzistorů NPN a PNP
slide5

Uvažujme jako nosiče elektrického náboje volné elektrony, díry se v polovodiči pohybují proti směru pohybu elektronů.

  • Pro připojení napájecího napětí na tranzistor NPN podle předchozího obrázku bude PN přechod báze –emitor po-larizován v propustném směru. PN přechod kolektor – emitor je polarizován závěrně.
  • Pokud mezi bází a emitorem bude dostatečné napětí (alespoň 0,6 V u křemíkového tranzistoru), podobně jako u křemíkové diody začne přechodem téct proud.
  • Volné elektrony jsou dodávané do zdrojem napětí do emitoru jsou přitahovány kladným napěťovým potenciálem báze.
  • Avšak protože je báze (střední P-oblast tranzistoru) velmi
slide6

úzká, nejsou všechny elektrony bází zachyceny a odvedeny, ale velká část prolétne až do kolektoru (i přes PN přechod v závěrném směru), kde jsou přitahovány kladným potenciálem na kontaktu kolektoru.

slide7

Poměr počtu elektronů, které jsou zachyceny bází, a elektronů, které projdou až do kolektoru je konstantní, tzn., že když se počet elektronů zachycených bází zdvojnásobí, zdvojnásobí i se i počet elektronů, které prolétnou do kolektoru.

  • Pro poměr kolektorového a bázového proudu musí tedy platit:
  • Tranzistor zesiluje proud, tzv. tranzistorový jev.

a představuje tzv. proudový zesilovací činitel tranzistoru a dosahuje hodnot od 10 až do 500 (napájecí napětí kolektoru musí být dostatečné).

  • Tranzistor je tedy součástka, pomocí které můžeme malým proudem báze řídit proud kolektorem (zesilovat proud).
slide8

Podle základního principu tranzistoru jsou nazvány i jeho elektrody: emitor emituje (generuje) elektrony, báze je základnou, kterou se řídí jejich množství (proud) a kolektor je kolektuje (sbírá).

  • Z principu tranzistoru je zřejmé, že proud emitorem je součtem proudu bází a kolektorem (emitor dodává volné elektrony jak pro bázi, tak i pro kolektor):
  • Příklad: Určete proudový zesilovací činitel tranzistoru, když byl naměřen proud do báze 5 mA a proud kolektorem 250 mA. Určete rovněž emitorový proud.
slide9

Bipolární tranzistor (pracuje s oběma typy nosičů náboje – volnými elektrony i volnými dírami) lze do obvodu, který tvoří dvojbran (obvod – „black box“ , který má vstupní svorky a výstupní svorky), zapojit několika způsoby.

  • Nejčastěji se v praxi vyskytuje zapojení se společným emitorem SE (emitor je připojen ke vstupu i k výstupu)
  • Bipolární tranzistor v zapojení SE z principu zesiluje proud, malý proud do báze (do vstupu) zapříčiňuje velký proud kolektorem (do výstupu).
slide10

Proto bývá proudový zesilovací činitel tranzistoru  označován jako parametr h21E (E v indexu parametru h21 specifikuje zapojení se společným emitorem SE):

  • Napájení tranzistoru v zapojení SE
  • Napěťový zdroj UB zajišťuje vhodné předpětí báze (pra-covní bod tranzisto-ru), v praxi je nejčas-těji odvozen od spo-lečného napájecího zdroje UN.
slide11

Napájení výstupního obvo-du (zajištění kolektorového proudu) je řešeno pomocí napěťového zdroje UN.

  • Na zatěžovacím odporu (kolektorovém odporu) RZ pak

vzniká úbytek napětí odpovídající kolektorovému proudu.

  • Pokud je pomocí zdroje UB (bázové předpětí) otevřen PN přechod báze-emitor, malý proud ze vstupu (napětí z generátoru s vnitřním odporem) se sčítá s proudem z předpěťového zdroje.
  • Tato malá změna bázového proudu se projeví velkou změnou kolektorového proudu (-krát) a tím i úbytkem napětí na zatěžovacím odporu URZ.
slide12

Tranzistor zapojený jako SE, tedy zesiluje napětí ze vstupu (z generátoru) na zátěž zapojenou v kolektorovém obvodu.

  • Protože je PN přechod báze – emitor polarizován v propustném směru (zajištěno předpětím UB) má i malý odpor (dynamický odpor diody v propustném směru za prahovým napětím), který představuje vstupní odpor tranzistoru Rvst.
  • Aby bipolární tranzistor zesiloval musíme do báze dodávat určitý proud – bipolární tranzistor v zapojení SE pracuje v režimu proudového buzení (musíme dodávat ze vstupu výkon).
  • Naopak ve výstupním obvodě je v sérii se zatěžovacím odporem zapojen PN přechod kolektor – báze v závěrném směru a bipolární tranzistor v zapojení SE tedyvykazuje velký výstupní odpor Rvýst.
slide13

Zapojení vstupního obvodu zesilovače s tranzistorem v za-pojení SE

  • Předpokládejme, že pomocí předpětí UB je otevřen PN přechod báze – emitor tranzistoru. Střídavý signál z generátoru (např. audiosignál ze sluchátkového výstupu počítače) s vnitřním (z pohledu generátoru výstupním) odporem RG můžeme navázat přes vazební kondenzátor do bázového obvodu tranzistoru.
  • Vazební kondenzátor Cvst zajistí oddělení stejnosměrného předpětí od zdroje (jinak by mohl stejnosměrný proud ze zdro-
slide14

je UB téct do generátoru místo do báze).

 Na bázi tranzistoru se sečtou oba proudy (z předpěťového zdroje a z generátoru) a vytvoří napětí na bázi (úbytek na vstupním odporu tranzistoru).

 Kolektorový proud je pak zesílen -krát.

slide15

Proud iC pak vyvolá úbytek napětí na zátěži uRZ, tranzistor v zapojení SE zesiluje napětí z generátoru na napětí na zátěži.

  • Aby tranzistor jako zesilovač v zapojení SE pracoval dobře, musí být odpor RG malý vzhledem k Rvst, jinak by vznikl odporový dělič RG-Rvst a zesilovaný signál by byl utlumen.
  • Naopak Rz musí být velký vzhledem k Rvýst, aby na něm vznikl velký úbytek napětí.
slide16

Děkuji Vám za pozornost

Jiří Šebesta

Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky

ad