С2-МКМ-технология
Download
1 / 17

С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки - PowerPoint PPT Presentation


  • 197 Views
  • Uploaded on

С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки. А.Таран. Сварной контактный узел. Соединительный элемент. Контакт 2. Контакт 1. A. A. ПП-основание. Кристалл ИС. Пример сборки на базе сварного контактного узла. Флип-чип контактный узел. Кристалл ИС. A. A. Контакт 1 (на керамике ).

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки' - draco


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

С2-МКМ-технологияТМ

микроэлектронной сборки

А.Таран


Сварнойконтактный узел

Соединительный элемент

Контакт 2

Контакт 1

A

A

ПП-основание

Кристалл ИС


Пример сборки на базе сварного контактного узла


Флип-чипконтактный узел

Кристалл ИС

A

A

Контакт 1

(на керамике)

Контакт 2

(на Si)

A

A

Коммутационное основание

(керамика)

Соединительный элемент - бамп


Capillary Connection (С2)контактный узел

Фаза пайки

Контакт 1

(на ПИ)

Контакт 2

(на Si)

Капиллярный соединительный элемент

ПИ-коммутационная структура

Фаза совмещения


C2-МКМ-технология:патенты

Приоритет: 08.12.1998

4 патента РФ - получены

3 патента США - получены

1патент США - в оформлении

4 патента Кореи - в оформлении

Автор:А.И.Таран


Преимущества C2-технологии

  • Возможность контактирования по всей поверхности кристалла (а не только по периферии)

  • Нет флюсаи загрязнений (вакуумная пайка)

  • «Мягкий» процесс (даже для GaAS)

  • Малые размеры контактного узла (тонкий ПИ)

  • Высокая прочность контактного узла


«Универсальность»

С2-технологии и С2-контактного узла

1) Многослойная ПИ-плата (монтаж ПИ на ПИ)

2) Монтаж Si (GaAs) на ПИ3) Монтаж ПИ на ПП (или другую подложку)


Прецизионные коммутационные структуры - элементы планарных МКМ

Многослойные полиимидные печатные платы

Многослойные жесткие коммутаци-онные подложки


C2 40 40 1 600 cm 2
C2 структуры - элементы планарных МКМ – прямой монтаж чипа(40х40=1600 контактов/cm2 )


C2 8 x 400 3200
C2- структуры - элементы планарных МКММКМ(8 чипов x 400 конт = 3200 конт)


Прототип сборочной машины структуры - элементы планарных МКМдля С2-технологии


Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-card

(на базе МКМ-PC-card)

Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-104

(на базе МКМ-PC-104)

70 мм

60 мм

60 мм

96 мм

85 мм

базовый МКМ-PC-104 (60х70 мм)

92 мм

55 мм

Базовые конструкции унифицированного процессорного модуля

35 мм

35 мм

35 мм

базовый МКМ-PC-card (35х60 мм)

МКМ для базового ТЭЗ-МКМ


С2-МКМ-узел конструктиве

Зона припайки ПИ-КС к жесткому носителю

Зона для монтажа чипов

10 мм

27 мм

ПИ-коммутационная структура (ПИ-КС)

27 мм

Суммарная площадь активного кремния ~ 4см2

Толщина ~ 1мм

Габариты ~ 35х35 мм

Вес ~ 3 г


50 мм конструктиве

50 мм

5 мм

Типовой элемент замены (ТЭЗ) на базе С2-МКМ

(основные характеристики)

Разьем до 140 pin

Суммарная площадь «активного» кремния ~ 8 см2(два С2-МКМ по 4 см2 «активного» кремния)

Вес ~ 10 г

Рассеиваемая мощность ~ 5 Вт

Стойкость «Мороз», «Климат»


Блок МКМ-аппаратуры конструктиве

на ~600 см2 «активного» кремния

112 мм

160 мм

100 мм


Варианты компоновки аппаратуры конструктиве

на базе ТЭЗ-С2-МКМ

до 10 «этажей»

~ 5 см высоты

50 мм


ad