slide1
Download
Skip this Video
Download Presentation
Четвертый пассивный элемент электрической цепи Теория была разработана в 1971 году Леоном Чуа .

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 5

Четвертый пассивный элемент электрической цепи Теория была разработана в 1971 году Леоном Чуа . - PowerPoint PPT Presentation


  • 185 Views
  • Uploaded on

Полимерный мемристор на основе интерполиэлектролитных комплексов ПАНИ-Нафион. Годовский Д.Ю ., Боева Ж.С., Заблоцкий С.В. , Махаева Е.Е. МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва. Введение: МЕМРИСТОР. Преимущества: Простота получения Низкая стоимость Упрощение схем искусственных нейронных сетей.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' Четвертый пассивный элемент электрической цепи Теория была разработана в 1971 году Леоном Чуа .' - darena


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1

Полимерный мемристор на основе интерполиэлектролитныхкомплексов ПАНИ-Нафион.

Годовский Д.Ю., Боева Ж.С.,Заблоцкий С.В., Махаева Е.Е.

МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва

Введение:МЕМРИСТОР

  • Преимущества:
  • Простота получения
  • Низкая стоимость
  • Упрощение схем искусственных нейронных сетей.

Мемристор на основе ПАНИ

Принцип работы:

Вариации электронной проводимости в тонкой проводящей полимерной пленки в окисленном и восстановленном состояниях, вызываемые потоком ионов через полианилиновую пленку в местах соединения с твердым электролитом (допированный литием полиэтиленоксид).

Окисленное состояние ПАНИ является проводящим, восстановленное – непроводящим.

Действительное сопротивление активной зоны определяется интегралом по времени тока ионов (прошедшего заряда).

Мемристивность объясняется замораживанием ионов на своих местах при отключении поля.

Четвертый пассивный элемент электрической цепи

Теория была разработана в 1971 году Леоном Чуа.

Описывается соотношением dφ=Mdq, М(q) – коэффициент мемристивности.

M(q(t))=V(t)/I(t), сопротивление, зависящее от прошедшего заряда.

При I(t)=0, M – const, эффект памяти.

Могут заменить транзисторы в компьютерах, так как занимают меньше места.

Позволят создать новый тип энергонезависимой памяти.

Могут быть использованы для создания составных элементов искусственных нейронных сетей сложной архитектуры.

slide2

ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ И СХЕМА ИЗМЕРЕНИЙ

  • Полианилин (ПАНИ)
  • представляет собой полимер с составным повторяющимся звеном, состоящим из окисленных и восстановленных блоков.
  • при обработке ПАНИ кислотами на атомах азота происходит распаривание неподеленной электронной пары, возникает электронная проводимость.
  • Потенциостат/гальваностатIPC/FRA Micro Compact PRO (Эконикс, Россия)
  • Измерения проводились по схеме двухэлектродной измерительной ячейки.
  • Использование жидкого электролита позволяет изучать процесс допирования-дедопирования собственно системы полианилина в нафионе, поскольку ионы лития не остаются на своих местах при отключении напряжения, как в схемах с твердым электролитом, а уходят в раствор.

Нафион

    • сополимер тетрафторэтилена, содержащий сульфогруппы.
  • обладает высокой протонной проводимостью.

Исследуемая плёнка

Раствор LiClO4

Стекла ITO

slide3

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ

1,0

Потенциал разложения ацетонитрила 2.2 В.

При значениях потенциала ±2 В схождения ветвей петли гистерезиса не наблюдалось.

0,8

0,6

0,4

0,2

0

РАСТВОР ХЛОРИДА ЛИТИЯ 0.1М

РАСТВОР LiClO4В АЦЕТОНИТРИЛЕ

-0,2

-0,4

-0,6

-0,8

-1,0

Сопротивление пленки растет со временем при скачкообразном изменении потенциала.

При скачкообразном изменении потенциала зависимость сопротивления от времени для больших потенциалов – константа. Для малых сопротивление возрастает.

Ток, мА

-800

-600

-400

-200

-0

200

400

600

800

Напряжение, мВ

На ВАХ пленки – ярко выраженная петля гистерезиса.

slide4

Мемристивность: сохранение сопротивления при выключении напряжения

Область цикличного изменения потенциала в пределах ±2В

Область подачи постоянной разницы потенциалов 700 мВ

Отключение происходит на величине разности потенциалов 700 мВ

  • Система сохраняет память о предыдущем состоянии в течение часа.

Область ∆=0 (прибор выключен)

slide5
Применение в нейронных сетях (совместно с университетом г.Парма (Италия))

Сеть из 8-ми мемристоров

на гибкой подложке

Эквивалентная схема

“Hebbian learning”

Дальнейшее развитие – полимер-нанокомпозитные нейронные сети

Матрица контактов

Сеть с архитектурой перцептрона

Сеть с линейной архитектурой

Планируется синтез полимер-нанокомпозитов для реализации нейронных сетей с различной архитектурой а также компьютерное моделирование динамики распространения сигнала в полимер-нанокомпозитных нейронных сетях

ad