기억장치의 개요 주기억장치/보조 기억장치 고성능 기억장치 가상 기억장치

1. 5장 : 기억장치 1/4 5. 기억 장치 여러 가지 기억 장치의 종류와 특성에 대하여 학습한다. • 기억장치의 개요 • 주기억장치/보조 기억장치 • 고성능 기억장치 • 가상 기억장치

2. 1 기억 장치의 개요 컴퓨터에 자료를 전송하고, 명령 등을 해석해서 이에 따른 동작에 필요한 정보를 저장하는 곳을 말한다. program과 data의 보관 장소이다.

3. 1.1 기억 장치 분류 (1) 접근(access) 방식 1) 주소로 접근 - SASD(Sequence Access Storage Device) - 순차적으로만 접근. 예) 자기테이프, CCD(Charged Coupled Device) - DASD(Direct Access Storage Device) - 직접 접근. 예) RAM, Disk, Drum 2) 내용으로 접근 - CAM(Content Addressable Memory : 연관 기억 장치) (2) READ/WRITE 가능 1) RAM(=RWD=read/write memory) 2) ROM(Read Only Memory) (3) 판독 후 파괴 여부 1) 파괴적 메모리(DRO: Destructive Real Out) read 후 기억된 내용이 변하는 메모리. (재저장 시간이 필요) 2) 비파괴적 메모리(NDRO: NON Destructive Real Out) read후 기억된 내용이 변하지 않는 메모리.

4. (4) 시간의 흐름에 따른 변화 여부 1) 동적(Dynamic) 메모리 일정시간이 지나면 전하가 방전되는 기억장치로서 주기적인 재충전이 필요한 메모리. 예) MOS 2) 정적(Static) 메모리 전원이 공급되는 한 write 명령 없이는 변하지 않는 것. 예) 자기코어 (5) 전원 공급 상태 1) 휘발성(Volatile) 메모리 전원 공급이 끊기면 전압이 되어 모든 정보가 사라지는 기억 장치. 예) bipolar, MOS 소자 2) 비휘발성(NON-Volatile) 메모리 전원 공급이 끊기어도 그대로 정보가 남아 있는 기억 장치. 예) 자기 기억 장치들

5. 1.2 기억 장치 동작 read write 번지(address) 자료(data) 1) 판독 동작(read) 판독하려는 단어의 번지를 MAR에 넣고, read후 제어 신호를 준다. MBR에 데이터를 읽어간다. 2) 기록 동작(write) 기록하려는 기억 장치의 위치, 즉 번지를 MAR에 넣고, MBR에 기억시키려는 데이터를 옳기고, write 제어신호를 준다.

6. 1.3 기억 장치의 계층

7. 1. 전자계산기 기억장치의 주소설계 시 고려사항이 아닌 것은? 가. 주소를 효율적으로 나타내야 한다. 나. 주소 표시를 정확하게 해야 한다. 다. 사용자에게 편리하도록 해야 한다. 라. 주소공간과 기억공간을 독립 시킬 수 있어야 한다. 2. 다음 중 휘발성 기억소자의 특성인 것은? 가.정전이 되어도 상태를 유지한다. 나. 정전이 되면 기억내용을 상실한다. 다. 기억내용을 읽을 때 그 내용이 파괴된다. 라. 기억내용을 읽어도 내용이 파괴되지 않는다. 3. 자기코어 기억장치에서 자료를 읽어낼 때 읽고 나서 다시 써야 하는데 이에 요하는 시간을 무엇이라 하는가? 가.Access time 나. Cycle time 다. Seek time 라. Restoration time

8. 4. 기억 장치와 입출력 장치의 차이점을 나타낸 항목 중에서 가장 중요한 차이점은? 가. 정보의 단위 나. 동작의 자율성 다. 착오 발생률 라. 동작 속도 5. 프로세서와 주기억장치간의 작동 속도 불균형을 해소하기 위한 기억장치에 속하지 않는 것은? 가. 인터리브 된 기억장치 나. 캐시 기억장치 다. 내용 지정 기억장치 라. 자기 버튼 기억장치 6. 사이클 타임이 750 나노 초(Nano second) 인 기억장치에서는 이론적으로 1초에 몇 개의 데이터를 불러 낼 수 있는가? 가. 약 750개 나. 약 750*106개 다. 약 130만개 라. 약 1,330개

9. 7. 기억장치 계급순위를 높은 것에서 낮은 것으로 옳게 나열한 것은? 가. 주기억장치- 메모리 캐시-자기디스크- CCD 나. 메모리 캐시- 주기억장치- CCD –자기디스크 다 .CCD –매모리 캐시 – 주기억장치- 자기디스크 라. 매모리 캐시 –CCD –주기억장치 – 자기디스크 8. 다음 메모리 중에서 가장 빠르게 액세스 되는 메모리는? 가. Virtual memory 나. Cache memory 다. Main memory 라. Auxiliary memory 9. 다음 중 주소의 개념이 필요 없고 어떤 특수 데이터를 찾는데 유용한 메모리 접근 방식은? 가. Random access 나. Direct access 다. Associative access 라. Sequential access

10. 10. 다음 기억 소자 중 read/write를 임의로 할수 없는 소자는? 가. 다이나믹 RAM 나. 스테틱 RAM 다. P ROM 라. Core Memory 11. data의 content 에 의해서 access 할 수 있는 방법은? 가. Associative memory 에 의해서 나. ROM을 이용하여 다. RAM을 이용하여 라. Control memory 를 이용하여 12. Memory cycle time을 줄이기 위하여 memory modular 하게 design 하여 연 연속된 주소를 하나의 memory에 집중시키지 않고 여러 memory module에 분산시키는 방식을 무엇이라 하는가? 가. Bit slice processor 나. Bipolar processor 다. MOS processor 라. Micro processor