1 / 14

晶体三极管的输入和输出特性

晶体三极管的输入和输出特性. 教师：韩艳 2007 年 9 月. 三极管的输入输出特性. 课 前 复 习. 课 堂 任 务. 课 堂 练 习. 课 后 作 业. 三极管的结构. 发射结. 集电结. N P N. 发射区 基区 集电区. 课 前复 习. 基极 B. 集电极 C. 发射极 E. 三极管放大的条件. 发射区掺杂浓度大，以利于发射载流子. 1 、工艺条件. 基区很薄，掺杂少，载流子易通过. 集电区体积大，掺杂少，利于收集载流子. 正偏. 反偏. 2 、偏置条件.

cutler
Download Presentation

晶体三极管的输入和输出特性

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 晶体三极管的输入和输出特性 教师：韩艳 2007年9月

  2. 三极管的输入输出特性 课 前 复 习 课 堂 任 务 课 堂 练 习 课 后 作 业

  3. 三极管的结构 发射结 集电结 N P N 发射区 基区 集电区 课 前复 习 基极B 集电极C 发射极E • 三极管放大的条件 发射区掺杂浓度大，以利于发射载流子 1、工艺条件 基区很薄，掺杂少，载流子易通过 集电区体积大，掺杂少，利于收集载流子 正偏 反偏 2、偏置条件 发射结，集电结。

  4. 三极管的基本联接方式 V E C B 入 出 出 C E B B V V 出 E C 入 入 课前复习 3、共发射极接法 1、共基极接法 2、共集电极接法 返回

  5. 课堂任务 • 了解晶体三极管的输入特性曲线 • 理解和掌握晶体三极管的输出特性曲线 • 掌握三极管三种状态的判别

  6. 1、定义： RC 锗 硅 mA IC 死区电压 ： IB/μA IB C RB B μA V GC E RP V 正向压降 ： V VBE/V GB 0 三极管特性测试电路 一、晶体三极管的输入特性曲线 　在VCE一定时, ＩB与VBE对应值之间的关系 2、三极管的输入特性曲线： 0.5V 0.2V 0.7V 0.3V 正向压降 死区电压

  7. RC mA IC IB C RB B μA V GC E RP V V GB 三极管特性测试电路 二、晶体三极管的输出特性曲线 　在ＩB一定时, ＩC与VCE对应值之间的关系 1、定义： 2、三极管的输出特性曲线：

  8. C C B B IC/mA E E IB=120μA ② 饱和区 4 3 IB=80μA 2 IB=40μA 1 IB=0μA 0 VCE/V ①截止区 练习3 二、晶体三极管的输出特性曲线 2、三极管的输出特性曲线： ①截止区: IB=0 IC=ICEO VB<VE VB>VE 偏置条件：发射结反偏 集电结反偏 VB<VC VB>VC ②饱和区: IC=ICS VCE=VCES ③放大区 硅：0.3V 锗：0.1V VB>VE VB<VE 偏置条件：发射结正偏， 集电结正偏 VB>VC VB<VC ③放大区: IC=βIB 恒流特性 偏置条件：发射结正偏， 集电结反偏 VB>VE VB<VE VB<VC VB>VC VC>VB>VE VC<VB<VE

  9. 1.3V 6.9V 2V 1.7V 3V 4.3V 1V 2.3V 4V 三、三极管工作状态的判别 判断图所示三极管的工作状态 (NPN型为硅管，PNP型为锗管） 例题1： 发射结正偏 发射结正偏 发射结反偏 集电结反偏 集电结正偏 集电结反偏 放大状态 饱和状态 截止状态

  10. 0.7V 4.5V 6V 1V 4.8v 1.3V 1.3V 4V 2V 课堂练习 判断图所示三极管的工作状态 (NPN型为硅管，PNP型为锗管） 练习1： 发射结反偏 发射结正偏 发射结正偏 集电结反偏 集电结正偏 集电结反偏 截止状态 饱和状态 放大状态

  11. 2V -1.3V -2V -1.5V -1.3V -1.2V 三、三极管工作状态的判别 判断图所示三极管的工作状态 (NPN型为硅管，PNP型为锗管） 例题2： -5.2V -1.3V -1V 发射结反偏 发射结正偏 发射结正偏 集电结反偏 集电结反偏 集电结正偏 截止状态 放大状态 饱和状态

  12. 2V -7V -3V -4.7V -2V -0.3V -2V -1.6V 0V 课堂练习 练习2： 判断图所示三极管的工作状态 (NPN型为硅管，PNP型为锗管） 发射结反偏 发射结正偏 发射结正偏 集电结反偏 集电结反偏 集电结正偏 截止状态 放大状态 饱和状态

  13. 课堂练习 练习3：(以NPN为例) 0.5 0 0.7 0.3 0.7 0.3 0 0.3 0.1 0.2 输出特性曲线

  14. 6V V1 -6V 5.7V 课后作业 1、P书33 2-9 判断各三极管处于何种工作状态 2、思考题：已知某晶体三极管的三个电极的对地电压，其数值如图，试指出该三极管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管

More Related