K miai lev laszt s g zf zisb l cvd
Download
1 / 12

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) - PowerPoint PPT Presentation


  • 104 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD). Mizsei János 2013. PVD és CVD. Physical Vapor Deposition : Vákuum gőzölés Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition : Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha

Download Presentation

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


Kémiai leválasztás gőzfázisból(CVD)

Mizsei János

2013


PVD és CVD

  • PhysicalVaporDeposition:

    • Vákuum gőzölés

    • Katód porlasztás

  • ChemicalVaporDeposition:

    • Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba

    • Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás


EPI-CVD reaktorok


EPI-CVD reaktorok


Rétegleválasztás (CVD)

V. ö.: oxidáció


Rétegleválasztás (CVD)

V. ö.: oxidáció


Rétegleválasztás (CVD)


Si epitaxia, kémiai reakciók

  • Szilános (SiH4) és tetrakloridos (SiCl4) rendszerek.

  • Si tetrakloridos:

    800-1200 C°

    SiCl4+H2 -------------- SiCl2+HCl

    Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl2

    2 SiCl2Si+SiCl4 SiCl4deszorbálódik


Si epitaxia, kémiai reakciók

  • A teljes reakció:

    SiCl4+H2  Si+4 HCl

  • A kémiai reakciók megfordíthatók  Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.


Si epitaxia, kémiai reakciók

Rétegnövekedés sebessége SiCl4 epitaxiával.


Si epitaxia, kémiai reakciók

  • Szilános rendszerek:

    1000 C°

    SiH4 --------- Si+ 2H2

    A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg.

    A rétegnövekedés nem fordítható meg  marás nem történik.


Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás


ad
  • Login