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ZnO 纳米阵列制备及气敏特性研究 工作开展照片

ZnO 纳米阵列制备及气敏特性研究 工作开展照片. 指导老师:苏治斌 项目负责人:胡奇辉 项目成员:石晓忪 郭凯. 图 11000/4500r/min 下的 ZnO 纳米阵列的形貌. 最佳工艺(成果). 图 22 层籽晶层的 ZnO 纳米阵列的形貌. 最佳工艺(成果). 图 3 预处理温度 300℃ 时间为 20min 下的 ZnO 纳米阵列的形貌. 图 4 退火温度 550℃ ,退火时间为 60min 的 ZnO 纳米阵列的形貌. 最佳工艺(成果). 图 5 生长液浓度为 0.025 mol/L 制备的 ZnO 纳米阵列的形貌.

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  1. ZnO纳米阵列制备及气敏特性研究工作开展照片 指导老师:苏治斌 项目负责人:胡奇辉 项目成员:石晓忪 郭凯

  2. 图11000/4500r/min下的ZnO纳米阵列的形貌 最佳工艺(成果) • 图22层籽晶层的ZnO纳米阵列的形貌

  3. 最佳工艺(成果) • 图3预处理温度300℃时间为20min下的ZnO纳米阵列的形貌 • 图4退火温度550℃,退火时间为60min的ZnO纳米阵列的形貌

  4. 最佳工艺(成果) • 图5生长液浓度为0.025 mol/L制备的ZnO纳米阵列的形貌 • 图6生长时间为60min的ZnO纳米阵列的形貌

  5. 图7最佳工艺制备的制备ZnO 纳米薄膜和ZnO 纳米阵列XRD

  6. 掺杂Al ZnO纳米阵列 • 图8掺杂Al摩尔百分比为2%的ZnO纳米阵列 • 图9掺杂Al摩尔百分比为3%的ZnO纳米阵列

  7. 图10.电阻灵敏度

  8. 使用仪器 • 电子分析天平 • 甩膜机

  9. 使用仪器 • 超声波振荡器 • 箱式电阻炉

  10. 使用仪器 • 水浴锅 • 药品

  11. 相关样品

  12. 相关样品 • 气敏元件 • 陶瓷管以及薄膜制品

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