三維積體電路之堆疊誤差電性量測設計
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 6

三維積體電路之堆疊誤差電性量測設計 PowerPoint PPT Presentation


  • 108 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

三維積體電路之堆疊誤差電性量測設計. 智慧型記憶體及晶片系統實驗室 指導教授 : 陳冠能 學生 : 郭書喬. 設計理念. 藍色為第一層光罩、綠色為第二層 驗證其位移誤差量及導通結果是否符合. 導通情形下針圖. 210 歐姆 ( 圖 b). 211 歐姆 ( 圖 c). 166 歐姆 ( 圖 a). 導通情形. 電阻 :210 歐姆 ( 圖 b). 電阻 :166 歐姆 ( 圖 a). 圖形非理想線性,推斷為製程影響。 在測量當中,不同位移量及尺寸的 I-V 圖皆與此類似。 可從 I-V 圖輕易分辨短路及斷路 ( 下頁為斷路情形 ).

Download Presentation

三維積體電路之堆疊誤差電性量測設計

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


7010152

三維積體電路之堆疊誤差電性量測設計

智慧型記憶體及晶片系統實驗室

指導教授:陳冠能

學生:郭書喬


7010152

設計理念

  • 藍色為第一層光罩、綠色為第二層

  • 驗證其位移誤差量及導通結果是否符合

導通情形下針圖

210歐姆(圖b)

211歐姆(圖c)

166歐姆(圖a)


7010152

導通情形

電阻:210歐姆(圖b)

電阻:166歐姆(圖a)

  • 圖形非理想線性,推斷為製程影響。

  • 在測量當中,不同位移量及尺寸的I-V圖皆與此類似。

  • 可從I-V圖輕易分辨短路及斷路(下頁為斷路情形)

電阻:211歐姆(圖c)


7010152

斷路情形

(圖e)

(圖d)

(圖d)

(圖e)


7010152

製程流程

(1) Si substrate

(4)Thermal coater

(7)Thermal coater

P.R

P.R

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(2)oxide

(5)Lift off

(8)lift off

SiO2

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

(3) Pr pattern

(6) Pr pattern

P.R

P.R

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si


7010152

實驗結論與未來目標

  • 用簡化製程,初步驗證此方法可行

  • 在2μm線寬下準確判斷誤差位移量

  • 未來此結構成功與否與製程方法關係密切

  • 從鋁製程改為銅製程

  • 未來需考慮TSV、wafer level bonding情形

  • 設計電路利用電性結果,得知誤差位移量

  • 設計新架構,縮小所佔面積、增加準確率、良率

  • 量測旋轉誤差、晶片彎曲、部份受熱形變

  • 測試結構受外力影響量測


  • Login