1 / 21

תהליך CMOS

תהליך CMOS. פרופ ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית אוניברסיטת תל-אביב ( לפי ההרצאות של יאן ראבאי מברקלי ). הכנת הפרוסות והליתוגרפיה הבסיסית. תהליך CMOS. דוגמה - מהפך CMOS. This two-inverter circuit (of Figure 3.25 in the text) will be. manufactured in a twin-well process.

brita
Download Presentation

תהליך CMOS

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. תהליךCMOS פרופ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית אוניברסיטת תל-אביב (לפי ההרצאות של יאן ראבאי מברקלי)

  2. הכנת הפרוסות והליתוגרפיה הבסיסית

  3. תהליךCMOS

  4. דוגמה - מהפךCMOS This two-inverter circuit (of Figure 3.25 in the text) will be manufactured in a twin-well process.

  5. Layout - תרשים

  6. תהליך הייצור התצוגה מבוססת על התכניתSIMPL שלפרופ’ אנדי ניורייטרמאוניברסיטתברקלי. אינפורמציה מלאה נמצאת באתר: http://tanqueray.eecs.berkeley.edu/~ehab/inv.html.

  7. Starting wafer: n-type with doping level = 10 13 3 /cm התחלה A A’ * Cross-sections will be shown along vertical line A-A’

  8. הגדרת ה- WELL (1) Oxidize wafer (2) Deposit silicon nitride (3) Deposit photoresist

  9. בניית ה- WELL (4) Expose resist using n-well mask

  10. בניית ה- WELL (5) Develop resist (6) Etch nitride and (7) Grow thick oxide

  11. בניית ה- WELL מסוגN (8) Implant n-dopants (phosphorus) m (up to 1.5 m deep)

  12. בניית ה- WELL מסוגP Repeat previous steps

  13. חמצון השער 0.055 mm thin

  14. תחמוצת השדה 0.9 mm thick Uses Active Area mask Is followed by threshold-adjusting implants

  15. פוליסיליקון

  16. השתלת יוניםלצמתות

  17. השתלת יונים לצמתות

  18. פתיחת חורים (1) Deposit inter-level dielectric (SiO2) — 0.75 mm (2) Define contact opening using contact mask

  19. מתכת 1 - אלומיניום Aluminum evaporated (0.8 mm thick) followed by other metal layers and glass

  20. מבנה מתכת מתקדם יותר

  21. הקר בין התרשים למציאות

More Related