slide1
Download
Skip this Video
Download Presentation
薄膜沉積技術

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 17

薄膜沉積技術 - PowerPoint PPT Presentation


  • 110 Views
  • Uploaded on

薄膜沉積技術. ◆ 半導體製程中所稱的薄膜,是指厚度在 1 μ m 以下的膜。例如層間絕緣膜或是電極金屬等。 ◆ 薄膜沉積技術是由外界提供材料來累積在矽基板上的技術。 ◆ 由於是外來的沉積,即有發生污染的可能,一直以來令人擔心是否會影響高純度矽基板及其電子特性。 ◆ 從 LSI 時代起,薄膜沉積技術正式引進半導體製程 。 到了 1970 年代初期,薄膜沉積技術更以 CVD 技術為中心急速發展 , 特別是利用薄膜沉積完成多層配線工程, CVD 技術可算是新元件開發的重要關鍵。. 應用在 VLSI 的薄膜種類. 半導體元件中薄膜的應用. 薄膜沉積的方法.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' 薄膜沉積技術' - asha


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
slide1
薄膜沉積技術

◆ 半導體製程中所稱的薄膜,是指厚度在1μm以下的膜。例如層間絕緣膜或是電極金屬等。

◆ 薄膜沉積技術是由外界提供材料來累積在矽基板上的技術。

◆ 由於是外來的沉積,即有發生污染的可能,一直以來令人擔心是否會影響高純度矽基板及其電子特性。

◆ 從LSI時代起,薄膜沉積技術正式引進半導體製程。到了1970年代初期,薄膜沉積技術更以CVD技術為中心急速發展,特別是利用薄膜沉積完成多層配線工程,CVD技術可算是新元件開發的重要關鍵。

slide4
薄膜沉積的方法

◆ 化學氣相沉積(CVD;Chemical Vapor Deposition)

◆ 物理氣相沉積(PVD;Physical Vapor Deposition)

◆塗佈法

◆ 電鍍法

slide7
CVD薄膜沉積

◆ CVD法形成膜的原理簡單示於下圖。

◆ 將反應氣體A,B送入反應室後,於氣相中進行反應,也就是在表面或表面附近進行反應,形成膜C。

◆ 進行這樣的反應,必須跨越A+B的活化能障礙,因此需要熱的推進力。在電漿放電中,可使活化能下降,而使A+B的反應容易進行,也相當於提供激發反應的能量。

◆ 利用熱對流也就是熱輻射,使氣相反應在反應室內進行,但有時候會有中間反應,有時候直接進行最終反應。但不管怎樣,都希望最終反應於表面完成。

◆ 表面的最終反應,將影響膜質、階梯式覆蓋率、微粒發生等情形。

slide10
PVD薄膜沉積

◆ PVD法沉積膜有三種方式:蒸鍍、濺鍍、離子方式。

◆ 蒸鍍可分為電阻加熱和電子束加熱兩種加熱方式。現在的半導體製程中,幾乎都不用蒸鍍法,因此PVD法在元件製造上,只使用濺鍍法而已。

◆ 濺鍍法是在高真空狀態下,利用氬離子撞擊靶產生的濺鍍現象,將靶材的原子擊出,使其沉積在基板上。

◆ PVD成膜的原理如圖。

slide13
濺鍍法介紹

◆ 使用濺鍍法時,粒子無法到達很深的區域,因此技術有待改進。以下有兩種方式:

  • 利用準直管有效達到垂直成分的濺鍍,稱為準直管濺鍍。
  • 拉長靶和基板之間的距離,使入射角變小,可使粒子到達較深的底部。

◆最近採用ICP (Inductive Coupled Plasma) 等高密度電漿,將濺鍍粒子離子化,可垂直加速碰撞基板,增加到達底部附著量的方法。此方法稱為離子化濺鍍,也稱為I-PVD或IPD。

cvd pvd
CVD和PVD之階梯式覆蓋率

◆ PVD法即使提高底部覆蓋率,但側壁部位仍然無法解決。

◆ CVD法則確實可達到無空隙埋入。

slide17
今後的展望

◆ 在薄膜沉積技術中,原料(在CVD法為化合物,PVD的原料為靶材)的問題非常重要,主要在於其純度與操作的便利性。針對各種薄膜的形成,CVD與PVD之間的競爭,今後將會白熱化。

ad