1 / 26

Anihilace pozitronů v polovodičích

Anihilace pozitronů v polovodičích. záchytový model pro V -. rozklad na komponenty. Anihilace pozitronů v polovodičích. GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV). střední doba života. C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992). rozklad na komponenty. Anihilace pozitronů v polovodičích.

aaron
Download Presentation

Anihilace pozitronů v polovodičích

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Anihilace pozitronů v polovodičích • záchytový model pro V-

  2. rozklad na komponenty Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) střední doba života C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  3. rozklad na komponenty Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • tb = 230 ps • VGa: tv = 260 ps (hluboká záchytová centra) • mělká záchytová centra: ts = 230 ps • záchyt pozitronů v Rydbergových stavech C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  4. Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • tb = 230 ps • VGa: tv = 260 ps (hluboká záchytová centra) • mělká záchytová centra: ts = 230 ps • záchyt pozitronů v Rydbergových stavech • záporně nabité ionty GaAs • koncentrace GaAs nezávislá • na koncentraci vakancí C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  5. rozklad na komponenty Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • tb = 230 ps • VGa: tv = 260 ps (hluboká záchytová centra) • mělká záchytová centra: ts = 230 ps • záchyt pozitronů v Rydbergových stavech • záporně nabité ionty GaAs • Eb = (41  4) meV • koncentrace cst = 1.3  1017 cm-3 C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  6. Arrheniův plot Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • tb = 230 ps, záporně nabité ionty GaAs C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  7. Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • tb = 230 ps, záporně nabité ionty GaAs • koncentrace mělkých záchytových center • Eb = 38 - 41 meV C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  8. Anihilace pozitronů v polovodičích • záchytový model mělké záchytové centrum vakance C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  9. Anihilace pozitronů v polovodičích • záchytový model • vliv poměru Kv / KR C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  10. Anihilace pozitronů v polovodičích • záchytový model • vliv vazebné energie pozitronu Eb C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  11. Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) • teplotní stabilita defektů • mělká záchytová centra jsou teplotně stabilní • vakance se při pokojové teplotě odžíhávají C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

  12. Anihilace pozitronů v polovodičích • defekty v GaAs • Fermiho energie chemický potenciál e- vodivostní pás Fermiho hladina valenční pás

  13. Anihilace pozitronů v polovodičích • GaAs • závislost tv na poloze Fermiho hladiny • přechod tv = 260 ps  295 ps • tv = 260 ps: VAs1- • tv = 295 ps: VAs0 • přechod VAs-1 VAs0

  14. Anihilace pozitronů v polovodičích VAs-1 VAs0  VAs+1 • GaAs • závislost záchytové rychlosti K295 • na poloze Fermiho hladiny

  15. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • vhodný materiál pro detektory g-záření: • - vhodná šířka zakázaného pásu • - poměrně velké Z: (48 + 52)/2 = 50 • růst krystalu v přebytku Te  dominantní defekty VCd

  16. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • CdTe:Cl, CdTe:In

  17. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • kompenzace • dobrý detektor  vysoký odpor C. Szeles, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 1242 (2004)

  18. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • mobilita m • doba života nosičů t • dobrý detektor  velký mt C. Szeles, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 1242 (2004)

  19. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012)

  20. n typ při vysoké koncentraci donorů p typ nezávisle na koncentraci donorů Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe:Cl, CdTe:In • stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) • A-centrum: mělký akceptor + mělký donor K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012)

  21. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • CdTe:Cl, CdTe:In • stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) • EfD-V roste s [D+], EfD-A konstantní rostoucíkoncentrace mělkých donorů • n-typ oblast Ef kdy r> 109W cm • Fermiho hladina • saturovaná na EfD-A Fermiho hladina K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012)

  22. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe:Cl, CdTe:In • stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) • EfD-V roste s [D+], EfD-A konstantní rostoucíkoncentrace mělkých donorů • vysoký odpor oblast Ef kdy r> 109W cm Fermiho hladina K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012)

  23. VCd+ TeCd VCd+ Cdi Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) • formační energie defektů v nedopovaném CdTe K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012) VCd+ VTe ??

  24. A+ ClTe A + CdTe Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe:Cl • stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) • formační energie defektů v Cl dopovaném CdTe K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, 063020 (2012)

  25. A-centrum (VCd - ClTe)-, tv = 330 ps • klastr 4 A-center 4(VCd - ClTe)-, t4V = 420 ps • mělká záchytová centra tR = 290 ps Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe • bulk tb = 295 ps • vakance (VCd - 2ZnTe)0, tv = 320 ps CdZnTe CdTe:Cl

  26. Anihilace pozitronů v polovodičích • CdTe

More Related