Реализация СВЧ ОУ
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 9

Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе PowerPoint PPT Presentation


  • 116 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе. Крутчинский С.Г. Жебрун Е.А. МНТЦ " МикАн ", Таганрогский технологический институт Южного Федерального Университета [email protected] Исходные предпосылки. – крутизна биполярного транзистора;. – проводимость сток-исток полевого транзистора;.

Download Presentation

Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


6433936

Реализация СВЧ ОУ

в ограниченном БиКМОП базисе

Крутчинский С.Г.

Жебрун Е.А.

МНТЦ "МикАн", Таганрогский технологический институт Южного Федерального Университета

[email protected]


6433936

Исходные предпосылки

– крутизна биполярного транзистора;

– проводимость сток-исток полевого транзистора;

– входное сопротивление и выходная проводимость биполярного транзистора;

– проводимость нагрузки каскада.

- эквивалентная постоянная времени;

- межэлементные ёмкости транзисторов.

Зависимость выходного сопротивления транзисторов

от режима работы

  • Полевые транзисторы значительно уступают биполярным по выходному сопротивлению

  • Для увеличения коэффициента усиления ОУ и уменьшения «электрической» длины во входных дифференциальных каскада, как правило, применяются динамические нагрузки на базе транзисторов с противоположным типом электронной проводимости

  • Увеличение крутизны биполярного транзистора за счет увеличения потребляемого тока приводит к увеличению коэффициента усиления.

  • Динамические нагрузки на полевых транзисторах уменьшают диапазон рабочих частот


6433936

Структуры динамических нагрузок на полевых транзисторах

Динамическая нагрузка с дополнительным компенсирующим усилителем

Динамическая нагрузка "двойной каскод"

Динамическая нагрузка с компенсацией Ri и дополнительным истоковым повторителем

Динамическая нагрузка "тройной каскод"


6433936

Взаимная компенсация

Взаимная компенсация влияния Сп и Ск на частотные характеристики усилителя

введение Ск при выполнении

исключает влияние Ск и СП .

Выбор оптимальной Ск


Sgb25vd

СВЧ ОУ на компонентах техпроцесса SGB25VD

Принципиальная схема простейшего однокаскадного СВЧ ОУ

АЧХ простейшего ОУ

ФЧХ простейшего ОУ

Диапазон выходных напряжения ОУ


6433936

Временная характеристика СВЧ ОУ


6433936

Сравнение СВЧ ОУ с различными нагрузками

Результаты моделирования СВЧ ОУ с различными нагрузками в режиме малых токов

Результаты моделирования при оптимальных токах биполярных транзисторов


6433936

Инструментальный усилитель на основе СВЧ ОУ

Инструментальный усилитель

с двухканальной структурой на базе трех ОУ

Коэффициент подавления синфазного сигнала

инструментального усилителя

АЧХ инструментального усилителя


6433936

Основные выводы

  • Полученные результаты позволяют сделать ряд важных выводов:

  • Цепи собственной компенсации малосигнальных параметров транзисторов увеличивают достижимый коэффициент усиления ОУ при низкой параметрической чувствительности и сохранении неизменной граничной частоты

  • Цепь взаимной компенсации влияния паразитных емкостей активных элементов не только расширяет диапазон рабочих частот ОУ, но и позволяет сохранить необходимый запас устойчивости по фазе ;

  • Равенство вкладов биполярных транзисторов с гетеропереходом и МОП транзисторов в достижимые ОУ параметры позволяет существенно расширить область применения компонентно-ограниченного БиКМОП базиса в сложно-функциональных блоках современных микропроцессорных систем

  • При создании масштабных или инструментальных усилителей, когда требуемая глубина обратной связи оказывается неизменной, можно за счет увеличения корректирующей емкости в несколько раз увеличить граничную частоту ОУ при сохранении необходимого запаса устойчивости по фазе ;


  • Login